西安交通大学杨贵东获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种用于提高硅晶片性能的中熵合金薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119913470B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510083516.5，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种用于提高硅晶片性能的中熵合金薄膜及其制备方法是由杨贵东;侯雪兰;刘思达;何雨霏设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于提高硅晶片性能的中熵合金薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于提高硅晶片性能的中熵合金薄膜及其制备方法，包括沉积于所述硅晶片表面的Al‑Mn‑Ru薄膜，所述用于提高硅晶片性能的中熵合金薄膜的制备方法，包括以下步骤：1合成AlMnRu涂层；2将AlMnRu涂层沉积于硅晶片上，得到用于提高硅晶片性能的中熵合金薄膜，该薄膜能够降低硅晶片的表面温度，提高硅晶片的导电率。
本发明授权一种用于提高硅晶片性能的中熵合金薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于提高硅晶片性能的中熵合金薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1合成AlMnRu涂层； 2将AlMnRu涂层采用物理气相沉积工艺沉积于硅晶片上，得到用于提高硅晶片性能的中熵合金薄膜； 步骤2中的沉积过程是在0.5Pa的氩气压力下进行，沉积速率为0.14nms，硅晶片的温度为100℃，得到中熵合金薄膜； 所述中熵合金薄膜中Al:Mn:Ru的原子数比为8:7:85； 所述中熵合金薄膜能够降低硅晶片表面温度，提高硅晶片的电导率。
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