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龙图腾网获悉佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利一种Micro LED模组及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894197B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510014746.6，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权一种Micro LED模组及其制备方法是由徐亮;周鑫;李军政;雷自合;陈凯设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Micro LED模组及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电技术领域，公开了一种MicroLED模组及其制备方法，包括以下步骤：提供支撑衬底，所述支撑衬底上设有若干组芯片；在所述支撑衬底上制备平坦层，所述平坦层填充在所述芯片的周围，在垂直方向上，所述平坦层的顶面与所述电极的顶面相平齐；在所述阴极和阳极上分别制备阴极扇出电极和阳极扇出电极；在所述平坦层上制备隔离层，所述隔离层填充所述间隔区域，所述隔离层的厚度大于所述阴极扇出电极或所述阳极扇出电极的厚度；在所述阴极扇出电极和阳极扇出电极上分别制备阴极层和阳极层，所述阴极层或所述阳极层的顶面不低于所述隔离层的顶面。本发明提供的MicroLED模组的制备方法能够实现微型芯片的电极扇出和布线，工艺简单。

本发明授权一种Micro LED模组及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MicroLED模组的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供支撑衬底，所述支撑衬底上设有若干组芯片，所述芯片包括电极，所述电极包括阴极和阳极，所述电极朝背离所述支撑衬底的方向设置； 在所述支撑衬底上制备平坦层，所述平坦层填充在所述芯片的周围，在垂直方向上，所述平坦层的顶面与所述电极的顶面相平齐； 在所述阴极和阳极上分别制备阴极扇出电极和阳极扇出电极，所述阴极扇出电极和阳极扇出电极之间设有间隔区域； 在所述平坦层上制备隔离层，所述隔离层填充所述间隔区域，所述隔离层的厚度大于所述阴极扇出电极或所述阳极扇出电极的厚度，以在所述阴极扇出电极和所述阳极扇出电极的上方形成空白区域； 在所述阴极扇出电极和阳极扇出电极上分别制备阴极层和阳极层，阴极层和阳极层填充所述空白区域，在垂直方向上，所述阴极层或所述阳极层的顶面不低于所述隔离层的顶面。

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