广州南沙地大滨海研究院;中国地质大学(武汉)孙庆磊获国家专利权
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龙图腾网获悉广州南沙地大滨海研究院;中国地质大学(武汉)申请的专利一种DLC辅助应力释放GaN/金刚石的集成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119890032B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510089480.1，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种DLC辅助应力释放GaN/金刚石的集成方法是由孙庆磊;李嘉宁;蒋宏勇;刘富初;崔粲;李施霖;陈博远设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种DLC辅助应力释放GaN/金刚石的集成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种DLC辅助应力释放GaN金刚石的集成方法，包括样品预处理、制备DLC辅助层、制备GaN金刚石的散热模块以及抛磨SiDLC辅助层得到完整的GaN金刚石模块。本发明的有益效果是：在生长金刚石外延层的过程中，使用石墨毡覆盖包裹DLC辅助层，保温并产生热量梯度，以辅助GaN进行应力释放，提高GaN的稳定性和GaN金刚石模块的成品率。
本发明授权一种DLC辅助应力释放GaN/金刚石的集成方法在权利要求书中公布了：1.一种DLC辅助应力释放GaN金刚石的集成方法，包括DLC辅助应力释放GaN金刚石，其特征在于：所述DLC辅助应力释放GaN金刚石由GaN层1、Si衬底2、DLC辅助应力释放层3、AlN缓冲层4和金刚石散热层5构成；所述GaN层1位于Si衬底2的上方，所述DLC辅助应力释放层3位于Si衬底2的下方，所述AlN缓冲层4位于GaN层1的上方，所述金刚石散热层5位于AlN缓冲层4的上方； 所述集成方法包括以下步骤： S1、样品预处理，将Si基GaN样品使用清洗液超声清洗后，使用Ar气枪吹干，并将GaN面保护起来，利用化学机械抛磨设备将Si衬底研磨抛光，留取Si层用于DLC辅助层的沉积； S2、制备DLC辅助层，将处理好的Si基GaN样品利用离子增强化学气相沉积方法在Si衬底上于室温下制备一层DLC薄膜，之后将DLC薄膜进行退火处理； S3、制备GaN金刚石的散热模块，使用金属有机化学气相沉积方法在GaN面生长一层AlN缓冲层后，再使用微波等离子体化学气相沉积方法高温生长的方式生长高质量散热金刚石； S4、抛磨SiDLC辅助层得到完整的GaN金刚石模块。
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