华中科技大学;湖北光谷实验室杜竫获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学;湖北光谷实验室申请的专利一种端面耦合用芯片、制备方法及光器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119882130B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510027561.9，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权一种端面耦合用芯片、制备方法及光器件是由杜竫;刘敏;孙军强;王健设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种端面耦合用芯片、制备方法及光器件在说明书摘要公布了：本发明具体涉及一种端面耦合用芯片、制备方法及光器件，所述芯片包括：衬底，设置于所述的衬底且从所述的衬底的边缘向内延伸的耦合区、对接于所述的耦合区的合束区、对接于所述的合束区的绝热区；所述的耦合区包括对称设置的由窄至宽的耦合波导；所述的合束区包括从所述的耦合波导的末端向内延伸的第一合束波导，以及设置于所述的第一合束波导的对称中心的第二合束波导；所述的绝热区包括从所述的第二合束波导的末端向内延伸的过渡波导以及设置于所述的过渡波导的绝热波导。本发明通过同时提升单模光纤与端面耦合用芯片的功率重叠效率和功率传输效率，实现单模光纤的大模斑的高效转换。
本发明授权一种端面耦合用芯片、制备方法及光器件在权利要求书中公布了：1.一种端面耦合用芯片，其特征在于，包括： 衬底，设置于所述的衬底且从所述的衬底的边缘向内延伸的耦合区、对接于所述的耦合区的合束区、对接于所述的合束区的绝热区； 所述的耦合区包括对称设置的由窄至宽的耦合波导； 所述的合束区包括从所述的耦合波导的末端向内延伸的第一合束波导，以及设置于所述的第一合束波导的对称中心的第二合束波导； 所述的绝热区包括从所述的第二合束波导的末端向内延伸的过渡波导以及连接于所述的过渡波导末端的绝热波导。
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