西安交通大学李村获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利带应力孔的一字梁双岛结构高压压力传感器芯片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119880241B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510092930.2，技术领域涉及：G01L9/00；该发明授权带应力孔的一字梁双岛结构高压压力传感器芯片及制备方法是由李村;秦川界;赵玉龙;郝乐;张冉设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本带应力孔的一字梁双岛结构高压压力传感器芯片及制备方法在说明书摘要公布了：一种带应力孔的一字梁双岛结构高压压力传感器芯片及制备方法，包括由下向上设置的支撑层、绝缘层和器件层；支撑层背部刻蚀有空腔，空腔正上方为敏感膜，敏感膜上设有一字梁双岛结构；在一字梁双岛结构的边缘与中心处分别布置有四个压敏电阻条，四个压敏电阻条通过五个P型重掺杂硅引线连接成半开环惠斯通电桥，五个P型重掺杂硅引线区域中心处设置有五个金属点电极，周围外侧设有密封圈，相邻P型重掺杂硅引线与密封圈间通过细缝相隔；本发明有效提升其压力承受极限，在确保高量程的同时，实现优异的灵敏度和线性度表现，具备数十至数百兆帕高压测量能力，耐受温度高达400℃，广泛适用于石油、天然气、化工及高压设备监测等领域。
本发明授权带应力孔的一字梁双岛结构高压压力传感器芯片及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种带应力孔的一字梁双岛结构高压压力传感器芯片，包括由下向上设置的支撑层1、绝缘层2和器件层3；支撑层1背部刻蚀有空腔1-1，空腔1-1正上方为敏感膜1-2，其特征在于：敏感膜1-2上设有一字梁双岛结构4；在一字梁双岛结构4的边缘与中心处分别布置有四个压敏电阻条5-1、5-2、5-3、5-4，四个压敏电阻条5-1、5-2、5-3、5-4通过五个P型重掺杂硅引线6-1、6-2、6-3、6-4、6-5连接成半开环惠斯通电桥，五个P型重掺杂硅引线6-1、6-2、6-3、6-4、6-5区域中心处设置有五个金属点电极7-1、7-2、7-3、7-4、7-5，周围外侧设有密封圈8，相邻P型重掺杂硅引线6-1、6-2、6-3、6-4、6-5与密封圈8间通过细缝9相隔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学，其通讯地址为：710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励