西安交通大学朱晓东获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种真空断路器用铜铬触头材料表面合金薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119876876B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510085844.9，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种真空断路器用铜铬触头材料表面合金薄膜及其制备方法是由朱晓东;贾东辰;钱旦;杜晓晔;宋忠孝;孟瑜设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种真空断路器用铜铬触头材料表面合金薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种真空断路器用铜铬触头材料表面合金薄膜及其制备方法，属于触头材料表面改性技术领域。该真空断路器用铜铬触头材料表面合金薄膜的制备方法为：以Cu靶、Cr靶和Nb靶为靶材，采用磁控溅射法在CuCr合金基底上沉积CuCrNb合金薄膜，得到生长有CuCrNb合金薄膜的CuCr合金基片；将生长有CuCrNb合金薄膜的CuCr合金基片在惰性气氛保护下进行退火处理，退火过程中调控CuCrNb合金薄膜表面的Cu相均匀分布，并生成Cr2Nb相，得到铜铬触头材料表面合金薄膜。本发明制备的CuCrNb合金薄膜提高了触头表面电弧分散能力、放电过程的稳定性与耐电压强度，从而提高触头耐电弧烧蚀能力。
本发明授权一种真空断路器用铜铬触头材料表面合金薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种真空断路器用铜铬触头材料表面合金薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 以Cu靶、Cr靶和Nb靶为靶材，采用磁控溅射法在CuCr合金基底上沉积CuCrNb合金薄膜，得到生长有CuCrNb合金薄膜的CuCr合金基片；磁控溅射法中，Cu靶的溅射电流为3.5A~6.5A，Cr靶的溅射电流为1.3A~7A，Nb靶材的溅射电流为6A~7A；溅射沉积时间为100min~230min；溅射气压为0.2Pa~0.3Pa； 将生长有CuCrNb合金薄膜的CuCr合金基片在惰性气氛保护下，400℃~850℃进行退火处理1h~8h，退火过程中调控CuCrNb合金薄膜表面的Cu相均匀分布，并生成Cr2Nb相，得到铜铬触头材料表面合金薄膜； 铜铬触头材料表面合金薄膜中，金属元素原子百分含量为：Cu50%~55%，Nb10%~35%，其余为Cr，合计为100%。
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