买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十四研究所申请的专利高速低暗电流三级台阶结构雪崩光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119866080B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510049434.9，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权高速低暗电流三级台阶结构雪崩光电探测器及其制备方法是由刘博缘;杨晓红;王睿;马向;齐合飞;杨瑾;何雨杭;王硕设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本高速低暗电流三级台阶结构雪崩光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及高速低暗电流三级台阶结构雪崩光电探测器及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括从下至上层叠的本征InP衬底、N型InAlAs欧姆接触层、本征InAlAs渡越层、N型InAlAs电荷层、本征InAlAs倍增层、P型InAlAs电荷层、本征InAlGaAs过渡层、本征InGaAs吸收层、梯度掺杂的P型InGaAs吸收层和P型InAlAs欧姆接触层；本征InGaAs吸收层8和N型InAlAs欧姆接触层2均为台阶结构以形成光电探测器的三级台阶结构；本发明通过在光入射面生长折射率为1.85的210nm厚的SiNx增透膜，可以使入射光的反射率小于1％。对于1550nm波长的光信号，单次光吸收量子效率可达0.45。

本发明授权高速低暗电流三级台阶结构雪崩光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高速低暗电流的三级台阶结构雪崩光电探测器，其特征在于，包括从下至上层叠的本征InP衬底1、N型InAlAs欧姆接触层2、本征InAlAs渡越层3、N型InAlAs电荷层4、本征InAlAs倍增层5、P型InAlAs电荷层6、本征InAlGaAs过渡层7、本征InGaAs吸收层8、梯度掺杂的P型InGaAs吸收层9和P型InAlAs欧姆接触层10； 本征InGaAs吸收层8和N型InAlAs欧姆接触层2均为台阶结构以形成光电探测器的三级台阶结构； 所述P型InAlAs欧姆接触层10的上表面设有钝化层14；P电极穿过钝化层14与P型InAlAs欧姆接触层10的上表面接触； 所述钝化层14自P型InAlAs欧姆接触层10的上表面依次覆盖P型InAlAs欧姆接触层10的侧面、梯度掺杂的P型InGaAs吸收层9的侧面、本征InGaAs吸收层8的侧面和台阶面、本征InAlGaAs过渡层7的侧面、P型InAlAs电荷层6的侧面、本征InAlAs倍增层5的侧面、N型InAlAs电荷层4的侧面、本征InAlAs渡越层3的侧面以及N型InAlAs欧姆接触层2台阶面上方的侧面和台阶面； N电极12穿过钝化层14与N型InAlAs欧姆接触层2的台阶面接触； 采用等离子增强化学气相沉积工艺，在外延结构上生长100nm的SiO2和210nm厚折射率为1.85的SiNx薄膜，作钝化层14，SiNx同时作为入射窗口13的增透膜，生长温度在200℃-300之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第五十四研究所，其通讯地址为：050081 河北省石家庄市中山西路589号第五十四所河北省光子信息技术与应用重点实验室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。