比亚迪股份有限公司周铭仪获国家专利权
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龙图腾网获悉比亚迪股份有限公司申请的专利太阳能电池及其制备方法、太阳能电池组件和用电装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855302B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411748632.6，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权太阳能电池及其制备方法、太阳能电池组件和用电装置是由周铭仪;韩璐;向昱任设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池及其制备方法、太阳能电池组件和用电装置在说明书摘要公布了：本申请涉及太阳能电池技术领域，具体涉及太阳能电池及其制备方法、太阳能电池组件和用电装置，该太阳能电池包括晶硅吸光层、包括掺杂多晶硅层的电荷传输层、第一钝化层和第一金属电极，第一金属电极贯穿第一钝化层与掺杂多晶硅层接触；晶硅吸光层靠近第一金属电极的表面上包括绒面区域和抛光区域，第一金属电极在晶硅吸光层上的正投影位于绒面区域中，且述掺杂多晶硅层与第一金属电极接触的表面具有弧面接触位点。该太阳能电池既能保证钝化接触，同时接触电阻较低，光电转换效率较高。
本发明授权太阳能电池及其制备方法、太阳能电池组件和用电装置在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： 晶硅吸光层，具有相对的第一侧和第二侧； 电荷传输层，位于所述晶硅吸光层的第一侧，且包括掺杂多晶硅层； 第一钝化层，位于所述电荷传输层远离所述晶硅吸光层的一侧； 第一金属电极，所述第一金属电极贯穿所述第一钝化层与所述掺杂多晶硅层接触； 其中，所述晶硅吸光层靠近所述第一金属电极的表面上包括绒面区域和抛光区域，所述第一金属电极在所述晶硅吸光层上的正投影位于所述绒面区域中； 所述掺杂多晶硅层与所述第一金属电极接触的至少部分表面具有朝向所述掺杂多晶硅层凹陷的弧面凹坑，所述第一金属电极与所述掺杂多晶硅层接触的至少部分表面具有朝向所述掺杂多晶硅层凸起的弧面凸起部，所述弧面凸起部配合设置在所述弧面凹坑中； 所述掺杂多晶硅层与所述第一金属电极接触的表面上包括多个朝向所述第一金属电极凸起的凸起结构，所述弧面凹坑位于所述凸起结构的表面上。
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