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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种任意电磁场景近场模拟装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119854764B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510032883.2，技术领域涉及：H04W4/80；该发明授权一种任意电磁场景近场模拟装置是由李志平设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种任意电磁场景近场模拟装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种任意电磁场景近场模拟装置，属于电磁测试和仿真技术领域。该装置主要由目标场、近场综合方法和近场综合相控阵面组成。通过优化相控阵口径阵面的单元激励加权，可在近场综合面实现任意目标场的综合，其中相控阵口径阵面需根据目标场最高空间频率布局。若目标场最高空间频率较小，要求相控阵口径阵面单元间距较大，则相控阵口径阵面可为平面阵；若目标场最高空间频率较大，要求相控阵口径阵面单元间距较小和相控阵面空间张角较大，则相控阵口径阵面需为柱面阵或球面阵。本发明可实现任意电磁场景的近场模拟，具有系统紧凑、电磁环境模拟实物化、且逼真度高的优点，可应用于雷达目标场景、通信信道场景等领域实物电磁环境模拟。

本发明授权一种任意电磁场景近场模拟装置在权利要求书中公布了：1.一种任意电磁场景近场模拟装置，其特征在于，所述装置包括目标场设置单元、相控阵口径阵面选择单元、近场综合结果生成模块，其中， 所述目标场设置单元，用于给出任意电磁环境，包括单一方向远场平面波，多个不同方向、幅度、初相平面波叠加而成的任意复杂近场电磁波； 所述相控阵口径阵面选择单元，计算所述目标场设置单元给出的任意电磁环境的目标场空间频率，选择对应的相控阵口径阵面，合成与目标场幅相分布一致的辐射场； 所述近场综合结果生成模块，用于对合成的辐射场基于口径优化算法进行口径优化，得到最终的近场综合面； 所述计算所述目标场设置单元给出的任意电磁环境的目标场空间频率，选择对应的相控阵口径阵面包括，若目标场最高空间频率较小，要求口径阵面单元间距较大，则选择平面口径阵面；若目标场最高空间频率较大，要求口径阵面单元间距较小和相控阵面空间张角较大，则选择柱面口径阵面或球面口径阵面； 当选择平面口径阵面时，根据采样定理，单元间隔由目标场的最高空间频率确定： 1 其中，为单元间隔，kmax为目标场最高空间频率； 柱面或球面阵的单元间隔由目标场的最高模式阶数确定： 2 其中，分别为阵元在球面，柱面坐标下的单元间隔，Mmax为目标场最高模式阶数； 最高模式阶数取决于目标场的物理尺寸： 3 式中，rt为包围目标场的最小辐射球半径，k为自由空间的波数，M0为与精度相关的模式阶数余量值； 则直角坐标系下单元间隔则表示为： 4 式中，R为柱面阵或球面阵半径值； 通过下式调整柱面或球面阵面的孔径张角范围，以保证阵面综合结果覆盖目标场的最高空间频率： 5 式中，为分别为方位向与俯仰向的最大孔径张角。

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