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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种易于封装的热电堆式MEMS流量传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119845369B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510185940.0，技术领域涉及：G01F1/684；该发明授权一种易于封装的热电堆式MEMS流量传感器及其制备方法是由周再发;张杰;黄庆安设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种易于封装的热电堆式MEMS流量传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种易于封装的热电堆式MEMS流量传感器及其制备方法，该传感器包括加热电阻、环境测温电阻、第一测温热电堆、第二测温热电堆、二氧化硅层、混合衬底、导电通孔、硅支撑层、背面空腔。其中加热电阻分布在传感器中间位置，其两侧对称分布四组测温热电堆。本发明通过背面空腔和氧化硅隔热区域，有效降低了热量通过衬底的传递，通过优化热电堆排布方式，提高了传感器的量程和灵敏度，通过设置背面导电通孔结构，降低了器件封装难度。

本发明授权一种易于封装的热电堆式MEMS流量传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种易于封装的热电堆式MEMS流量传感器，其特征在于，包括： 混合衬底12、第一测温热电堆21、第二测温热电堆22、硅支撑层100、二氧化硅层110、加热电阻201、环境测温电阻202、导电通孔300、背面空腔340和硅支撑层第一表面101； 所述二氧化硅层110位于所述硅支撑层第一表面101上； 所述混合衬底12由多晶硅衬底120和氧化硅热隔离区域140组成；所述多晶硅衬底120位于所述二氧化硅层110上，并被所述氧化硅热隔离区域140分隔成若干部分；所述氧化硅热隔离区域140对称分布在所述流量传感器中线两侧； 所述加热电阻201位于所述混合衬底12上，且分布于所述流量传感器中线处，所述加热电阻201上具有第一绝缘层230和用于引出所述加热电阻201的第一通孔240，以及用于连接所述加热电阻201与导电通孔300的加热电阻引线248； 所述环境测温电阻202设置于所述混合衬底12上，且分布于所述流量传感器外侧，所述环境测温电阻202上具有所述第一绝缘层230和用于引出所述环境测温电阻202的第五通孔247，以及用于连接所述环境测温电阻202与导电通孔300的环境测温电阻引线250； 所述第一测温热电堆21形成于混合衬底12的表面，所述第一测温热电堆21共有两个对称分布在所述加热电阻201两侧；第一测温热电堆21包括第一测温热电堆第一感温材料层210和第一测温热电堆第二感温材料层212，第一测温热电堆第一感温材料层210和第一测温热电堆第二感温材料层212中间具有第一绝缘层230及第二通孔242，第一测温热电堆第二感温材料层212上具有第二绝缘层232；所述第二测温热电堆22形成于混合衬底12的表面，所述第二测温热电堆22共有两个对称分布在所述加热电阻201两侧，包括第二测温热电堆第一感温材料层220、第二测温热电堆第二感温材料层222；第二测温热电堆第一感温材料层220和第二测温热电堆第二感温材料层222中间具有第一绝缘层230及第三通孔244，第二测温热电堆第二感温材料层222上具有第二绝缘层232； 所述导电通孔300贯通混合衬底12、二氧化硅层110及硅支撑层100，自上至下由金属导电通孔301、导电硅柱310及压焊块320依次连接形成；所述金属导电通孔301由第四通孔246填充形成，第四通孔246贯通混合衬底12和二氧化硅层110；所述背面空腔340的中心，在水平方向上与加热电阻201位置相同；所述背面空腔340在垂直方向上贯穿硅支撑层100，从硅支撑层第一表面101延伸到硅支撑层第二表面102，深度等于硅支撑层100厚度。

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