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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利用于谐振陀螺装配制造环节的性能评价方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119845302B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411949898.7，技术领域涉及：G01C25/00；该发明授权用于谐振陀螺装配制造环节的性能评价方法是由潘瑶;邓楷昕;吴伟;曾黎斌;陶云峰;谭中奇;杨开勇;罗晖设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于谐振陀螺装配制造环节的性能评价方法在说明书摘要公布了：本发明涉及谐振陀螺制造技术领域，尤其涉及一种用于谐振陀螺装配制造环节的性能评价方法，包括以下步骤，S1：组装及参数设定，将待测谐振陀螺半成品与测控装置电气连接，基于待测谐振陀螺半成品的结构参数设定直流偏置电压变化范围，以及频率裂解变化率阈值Kf*和主轴方位角变化率阈值Kθ*；S2：基础测量，将待测谐振陀螺半成品的直流偏置电压设置为初始直流偏置电压U0，测得待测谐振陀螺半成品的频率裂解△f0和主轴方位角θω0；S3：辅助测量；S4：计算变化率；S5：计算频率裂解平均变化率Kf和主轴方位角平均变化率Kθ；S6：性能评价，当Kf≤Kf*，且Kθ≤Kθ*时，性能评价为合格。本发明具有操作简单快捷、检测过程无损耗、弥补现有评价体系不足的优点。

本发明授权用于谐振陀螺装配制造环节的性能评价方法在权利要求书中公布了：1.一种用于谐振陀螺装配制造环节的性能评价方法，其特征在于，包括以下步骤， S1：组装及参数设定，将待测谐振陀螺半成品与测控装置电气连接，调设测控装置使之可以测量不同直流偏置电压下待测谐振陀螺半成品的频率裂解和主轴方位角；基于待测谐振陀螺半成品的结构参数设定直流偏置电压变化范围，以及频率裂解变化率阈值Kf*和主轴方位角变化率阈值Kθ*； S2：基础测量，基于测控装置将待测谐振陀螺半成品的直流偏置电压设置为初始直流偏置电压U0，并测得待测谐振陀螺半成品的频率裂解△f0和主轴方位角θω0； S3：辅助测量，基于所述直流偏置电压变化范围，从小到大依次选取至少n个不同于初始直流偏置电压U0的直流偏置电压值{U1,U2,…,Un}作为辅助测量电压，n取正整数且不小于2，基于测控装置将待测谐振陀螺半成品的直流偏置电压设置为所述辅助测量电压，并分别测得不同辅助测量电压{U1,U2,…,Un}下待测谐振陀螺半成品对应的辅助频率裂解{△f1,△f2,…,△fn}和辅助主轴方位角{θω1,θω2,…,θωn}； S4：计算变化率，根据步骤S3测得的多个辅助频率裂解{△f1,△f2,…,△fn}，基于式1计算待测谐振陀螺半成品的多个频率裂解变化率Kfi，根据步骤S3测得的多个辅助主轴方位角{θω1,θω2,…,θωn}，基于式2计算待测谐振陀螺半成品的多个主轴方位角变化率Kθi； S5：计算平均变化率，根据步骤S4的计算结果，基于式3计算频率裂解平均变化率Kf，基于式4计算主轴方位角平均变化率Kθ； S6：性能评价，将所述频率裂解平均变化率Kf与频率裂解变化率阈值Kf*进行比较，将所述主轴方位角平均变化率Kθ与主轴方位角变化率阈值Kθ*进行比较，当Kf≤Kf*，且Kθ≤Kθ*时，该评估指标性能评价为合格，否则，该评估指标性能评价为不合格。

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