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龙图腾网获悉山东省机械设计研究院申请的专利一种TiZrNb基Cu或Sr掺杂抗菌可植入的中熵合金及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119843090B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510031292.3，技术领域涉及：C22C1/03；该发明授权一种TiZrNb基Cu或Sr掺杂抗菌可植入的中熵合金及其制备方法是由刘国强;安业龙;沈德鹏;张玉;唐炳涛;李新生;梁明;宋宪涛;白雅凯;董德骁;石元茂;裴肖宁设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TiZrNb基Cu或Sr掺杂抗菌可植入的中熵合金及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种TiZrNb基Cu或Sr掺杂抗菌可植入的中熵合金及其制备方法，涉及中熵合金技术领域，包括化学式记为TixZryNbzMh，M为Cu或Sr，x、y、z、h分别为化学元素Ti、Zr、Nb、M的摩尔百分数，0＜x＝y＝z≤35，3＜h≤10，M为Cu时抗菌率达到50％‑60％，具有高强度和耐热冲击，M为Sr时抗菌率达到30％‑50％，具有高强度和耐热冲击，TiZrNbCu或TiZrNbSr合金经500℃电脉冲退火后表现出优异的耐热冲击性能，能够有效减少热应力导致的材料裂纹与失效。其优异的热冲击性能得益于合金独特的微观结构与优良的热稳定性，可广泛应用于高温环境下对抗热冲击要求较高的领域。

本发明授权一种TiZrNb基Cu或Sr掺杂抗菌可植入的中熵合金及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种TiZrNb基Cu或Sr掺杂抗菌可植入的中熵合金制备方法，其特征在于，所述中熵合金的化学式记为TixZryNbzMh，M为Cu或Sr，x、y、z、h分别为化学元素Ti、Zr、Nb、M的摩尔百分数，30≤x=y=z＜32.3，3＜h≤10，x+y+z+h=100，M为Cu时抗菌率达到50%-60%，具有高强度和耐热冲击，M为Sr时抗菌率达到30%-50%，具有高强度和耐热冲击，其制作步骤如下： 步骤1、以中间合金TiZr、TiNb和TiM作为原料，使用中频感应炉熔炼； 步骤2、中熵合金锭通过线切割得到薄片； 步骤3、薄片放入箱式马弗炉中进行固溶处理，固溶处理结束后放入水中进行水淬，所述固溶处理温度为1000℃，所述固溶处理时间为1h； 步骤4、取步骤3制得的中熵合金材料进行电脉冲条件下退火处理，再进行冷却，最终得到具有高强度、优异抗菌性能和耐热冲击的可植入中熵合金材料，所述电脉冲条件下退火温度为500°C，退火时间1小时。

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