西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学韩超获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学申请的专利一种内嵌浮动结的沟槽型碳化硅辐照探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119836047B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411501428.4，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种内嵌浮动结的沟槽型碳化硅辐照探测器及其制备方法是由韩超;郭永征;袁昊;张玉明;吴勇;毕胜锦设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种内嵌浮动结的沟槽型碳化硅辐照探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种内嵌浮动结的沟槽型碳化硅辐照探测器及其制备方法，包括：衬底；外延层，设置于衬底上，外延层背离衬底的一侧设置有多个沟槽，外延层内设置有多个浮动结，至少设置一列浮动结和一行浮动结；相邻沟槽之间对应至少1列浮动结，相邻沟槽之间对应至少1行浮动结；P+区，设置于外延层背离衬底的一侧，覆盖在沟槽和相邻沟槽之间的平台区上；第一电极，设置于P+区上，覆盖在P+区上；第二电极，设置于衬底背离外延层的一侧，覆盖在衬底上。本发明由于引入浮动结以及沟槽内壁的掺杂区域，使得灵敏区的耗尽区宽度增加，耗尽区内部的电场会使得辐照产生的电子空穴对更好的被收集，从而提高探测器的电荷收集效率。
本发明授权一种内嵌浮动结的沟槽型碳化硅辐照探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种内嵌浮动结的沟槽型碳化硅辐照探测器，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，设置于所述衬底上，所述外延层背离所述衬底的一侧设置有多个沟槽，所述外延层内设置有多个浮动结，沿平行于所述衬底的方向，至少设置一列所述浮动结，沿垂直于所述衬底的方向，至少设置一行所述浮动结；沿平行于所述衬底的方向，相邻所述沟槽之间对应至少1列所述浮动结，沿垂直于所述衬底的方向，相邻所述沟槽之间对应至少1行所述浮动结； P+区，设置于所述外延层背离所述衬底的一侧，覆盖在所述沟槽和相邻所述沟槽之间的平台区上； 第一电极，设置于所述P+区上，覆盖在所述P+区上； 第二电极，设置于所述衬底背离所述外延层的一侧，覆盖在所述衬底上。
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