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龙图腾网获悉凯盛光伏材料有限公司申请的专利一种铜铟镓硒三玻组件制备方法及三玻组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119836038B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510021606.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种铜铟镓硒三玻组件制备方法及三玻组件是由王海滨;王帅帅;朱登华;代子强;王龙毅;吴艺设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铜铟镓硒三玻组件制备方法及三玻组件在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种铜铟镓硒三玻组件制备方法及三玻组件，包括盖板玻璃、基板玻璃、背板玻璃、PVB封装胶膜和丁基密封胶带，所述基板玻璃包括铜铟镓硒薄膜层、钼层、汇流条和钠钙玻璃。本发明通过基板玻璃处于盖板玻璃和背板玻璃之间，配合PVB封装胶膜、丁基密封胶带合片后经过层压设备层压形成三玻组件，使铜铟镓硒发电基板玻璃能被很好的保护。不仅具备太阳能电池发电功能而且可替代部分建筑材料，减少对于有限区域空间的占用，能够很好的契合当下较热门的BIPV光伏建筑一体化市场需求，为铜铟镓硒薄膜太阳能电池开拓新领域和新市场，同时为其他型薄膜太阳能电池提供基础方案和技术支持。

本发明授权一种铜铟镓硒三玻组件制备方法及三玻组件在权利要求书中公布了：1.一种铜铟镓硒三玻组件制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：将带有钼层的钠钙玻璃清洗干净，进入激光刻线系统得到P1刻线后再次进行清洗； S2：将清洗干净的钠钙玻璃用热风吹干，得到衬底玻璃； S3：在所述衬底玻璃上采用磁控溅射法、硒化和共蒸发法得到CIGS吸收层； S4：在所述CIGS吸收层上采用磁控溅射法得到CdSIn2S3缓冲层，然后进入激光刻线系统得到P2刻线后再次进行清洗； S5：在所述到CdSIn2S3缓冲层上采用磁控溅射法形成AZO窗口层，进入激光刻线系统得到P3刻线； S6：清除衬底玻璃边部的钼层、汇流位置上的CIGS层； S7：在钼层上焊接导电汇流条，得到基板玻璃； S8：在基板玻璃的汇流条端部引出得到外接接口，并用绝缘胶带铺垫； S9：在基板玻璃受光面的四周贴丁基密封胶带，密封胶带的长边与短边保持搭接； S10：将S9中得到的基板玻璃的受光面密封胶带内部铺满PVB胶膜，密封胶带与PVB胶膜的重合度为1.5mm-3mm，在基板玻璃的背面铺满PVB胶膜，然后使用两片8mm钢化玻璃与基板玻璃进行合片，然后进行层压工艺制备得到铜铟镓硒三玻发电组件产品； 在层压处理过程中，层压段的温度设置为155-158℃，抽真空时间设置为20-25分钟，压力一为20Kpa-30Kpa，时间为30-60秒；压力二为50Kpa-70Kpa，时间为30-60秒；压力三为50Kpa-90Kpa，时间为3-10分钟。

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