北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学陈燕宁获国家专利权
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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学申请的专利N型半导体器件、半导体器件及其制造方法、芯片和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815904B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411934978.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权N型半导体器件、半导体器件及其制造方法、芯片和电子设备是由陈燕宁;刘芳;吴波;丁永康;许凯;吴永玉;邓永峰;李君建;米朝勇设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本N型半导体器件、半导体器件及其制造方法、芯片和电子设备在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种N型半导体器件、半导体器件及其制造方法、芯片和电子设备，所述N型半导体器件的制造方法，包括：提供形成有栅极结构的衬底；对所述栅极结构两侧的衬底进行多次预非晶化注入；其中，除最后一次预非晶化注入外，每一次预非晶化注入后进行一次低温退火处理；在最后一次预非晶化注入后对所述栅极结构两侧的衬底进行源漏注入，形成源极和漏极。上述技术方案利用对栅极结构两侧的衬底进行多次预非晶化注入，后续在退火的过程中，源漏区的衬底由非晶态向晶态转变时发生体积膨胀对沟道产生应力作用，从而提升了沟道的张应力，进而能够提升电子迁移率。
本发明授权N型半导体器件、半导体器件及其制造方法、芯片和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种N型半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供形成有栅极结构的衬底； 对所述栅极结构两侧的衬底进行多次预非晶化注入；其中，除最后一次预非晶化注入外，每一次预非晶化注入后进行一次低温退火处理；所述低温退火处理的工艺参数包括退火温度500-650℃，退火时间10-30min； 在最后一次预非晶化注入后对所述栅极结构两侧的衬底进行源漏注入，形成源极和漏极； 其中，所述最后一次预非晶化注入的深度大于之前预非晶化注入的深度；以及，所述源漏注入的深度不大于所述最后一次预非晶化注入的深度。
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