中国科学院半导体研究所李湘获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利半导体激光器及其调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119812938B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411947504.4，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权半导体激光器及其调控方法是由李湘;张振宁;黄永箴;杨跃德;肖金龙设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体激光器及其调控方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体激光器及其调控方法。半导体激光器包括：衬底；回音壁微腔，设置于衬底上，回音壁微腔在衬底上的投影轮廓由多条曲线组成，多条曲线使得回音壁微腔中的光子经过多次全反射后形成回路；欧姆接触层，设置于回音壁微腔上，欧姆接触层上形成有欧姆接触窗口，欧姆接触窗口使得欧姆接触层向回音壁微腔注入非均匀性电流，非均匀性电流用于调控回音壁微腔中不同模式光子的数量比例。本发明的半导体激光器通过调整回音壁微腔的曲线参数来调整模式间隔和强度差异，能够增加半导体激光器的直接调制带宽，有效提高激光器的高速性能。
本发明授权半导体激光器及其调控方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器，其特征在于，包括： 衬底； 回音壁微腔，设置于所述衬底上，所述回音壁微腔在所述衬底上的投影轮廓由多条曲线组成，所述多条曲线使得所述回音壁微腔中的光子经过多次全反射后形成回路，所述投影轮廓由两条抛物线围成，所述两条抛物线具有两个交点和两个焦点，所述两个交点位于第一直线上，所述两个焦点位于第二直线上，所述第一直线垂直所述第二直线，所述两条抛物线的焦距相等，所述两条抛物线之间形成有夹角，所述夹角被定义为所述两个交点的其中一个分别与所述两个焦点之间的连线构成的夹角，所述回音壁微腔还用于通过调整所述焦距和所述夹角来改变所述回音壁微腔中的不同模式间隔； 欧姆接触层，设置于所述回音壁微腔上，所述欧姆接触层上形成有欧姆接触窗口，所述欧姆接触窗口使得所述欧姆接触层向所述回音壁微腔注入非均匀性电流，所述非均匀性电流用于调控所述回音壁微腔中不同模式光子的数量比例。
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