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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种模式重构下频带可调谐的吸透一体化天线罩单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119812747B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510009817.3，技术领域涉及：H01Q1/42；该发明授权一种模式重构下频带可调谐的吸透一体化天线罩单元是由宋立伟;汪志远;张振坤;张轩铭设计研发完成，并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种模式重构下频带可调谐的吸透一体化天线罩单元在说明书摘要公布了：本发明涉及模式重构下频带可调谐的吸透一体化天线罩单元，包括：自上而下依次堆叠的吸波层、第一空气层和透波层；吸波层上设置有多个PIN二极管，透波层上设置有多个变容二极管；响应于控制信号，多个PIN二极管反偏，且多个变容二极管的容值调整至第一预设范围时，吸透一体化天线罩单元结构的工作频带处于第一频带范围，实现ATA型吸波模式；响应于控制信号，多个PIN二极管正偏，且多个变容二极管的容值调整至第二预设范围时，吸透一体化天线罩单元结构的工作频带处于第二频带范围，实现TA型吸波模式。该装置可以实现ATA型吸波模式和TA型吸波模式切换，以及ATA型吸波模式和TA型吸波模式下的频带可调谐的效果。

本发明授权一种模式重构下频带可调谐的吸透一体化天线罩单元在权利要求书中公布了：1.一种模式重构下频带可调谐的吸透一体化天线罩单元，其特征在于，所述吸透一体化天线罩单元结构包括：多个紧密排布的天线罩子单元；每个天线罩子单元包括：自上而下依次堆叠的吸波层、第一空气层和透波层；所述吸波层上设置有多个PIN二极管，所述透波层上设置有多个变容二极管，所述多个PIN二极管的控制端和所述多个变容二极管的控制端接入不同的控制信号； 其中，响应于所述控制信号，所述多个PIN二极管反偏，且所述多个变容二极管的容值调整至第一预设范围时，所述吸透一体化天线罩单元结构的工作频带处于第一频带范围，实现ATA型吸波模式； 响应于所述控制信号，所述多个PIN二极管正偏，且所述多个变容二极管的容值调整至第二预设范围时，所述吸透一体化天线罩单元结构的工作频带处于第二频带范围，实现TA型吸波模式；其中，所述第一预设范围的取值小于所述第二预设范围的取值，所述第一频带范围和所述第二频带范围部分重叠； 所述透波层包括：自上而下依次堆叠的第一透波子层、第二空气子层、第二透波子层、第三空气子层和第三透波子层；其中，所述第一空气层的厚度大于所述第二空气子层的厚度，所述第二空气子层的厚度和所述第三空气子层的厚度相等，并且，所述第一透波子层的结构和所述第三透波子层的结构相同； 所述吸波层包括：第一介质基板；所述第一介质基板上设置有十字结构的镂空金属片，所述镂空金属片的四个端部呈半圆形；所述金属片的中心处均匀设置有四个集总电阻，并且，所述镂空金属片的四个端部内均设置有第一片状结构、半圆片和第二片状结构组成的结构，其中，所述半圆片上设置有一个所述PIN二极管。

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