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龙图腾网获悉深圳市大德激光技术有限公司申请的专利用于激光隐切SiC晶锭后剥离SiC晶圆的平台及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119794605B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510145014.0，技术领域涉及：B23K26/38；该发明授权用于激光隐切SiC晶锭后剥离SiC晶圆的平台及方法是由胡琦;乐庸辉;杨亚涛;赵聚鑫设计研发完成，并于2025-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于激光隐切SiC晶锭后剥离SiC晶圆的平台及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及SiC晶圆制造技术领域，更具体地说，涉及一种用于激光隐切SiC晶锭后剥离SiC晶圆的平台及方法，包括：上施力固定部，用于连接SiC晶锭的待剥离SiC晶圆；下施力固定部，用于连接SiC晶锭的剩余SiC晶锭；剪切力驱动部，与上施力固定部和下施力固定部连接，在激光对待剥离SiC晶圆内部进行改质，并使待剥离SiC晶圆与剩余SiC晶锭交界面处进行改质形成激光划线改质痕迹后，剪切力驱动部驱动上施力固定部和下施力固定部错位运动，使待剥离SiC晶圆和剩余SiC晶锭错位分离。本发明的一种用于激光隐切SiC晶锭后剥离SiC晶圆的平台及方法，具有效率高、精密度高、成本低等多种优点。

本发明授权用于激光隐切SiC晶锭后剥离SiC晶圆的平台及方法在权利要求书中公布了：1.用于激光隐切SiC晶锭后剥离SiC晶圆的平台，其特征在于，包括：上施力固定部，用于连接SiC晶锭的待剥离SiC晶圆4；下施力固定部，用于连接SiC晶锭的剩余SiC晶锭5；剪切力驱动部，与上施力固定部和下施力固定部连接，在激光对待剥离SiC晶圆4内部进行改质，并使待剥离SiC晶圆4与剩余SiC晶锭5交界面处进行改质形成激光划线改质痕迹3后，剪切力驱动部驱动上施力固定部和下施力固定部错位运动，使待剥离SiC晶圆4和剩余SiC晶锭5错位分离； 上施力固定部包括：与剪切力驱动部连接的上运动平台1和连接在上运动平台1下表面的上真空吸盘2； 所述下施力固定部包括：与剪切力驱动部连接的下运动平台7和连接在下运动平台7上表面的下真空吸盘6； 剪切力驱动部包括：相对安装两个门形支架的支架座，支架座上安装有与下运动平台连接的下驱动单元，两个门形支架之间安装有与上运动平台连接的上驱动单元，上驱动单元通过调高气缸与支架座连接，以在调高气缸的驱动下在两个门形支架上滑动，改变上驱动单元与下驱动单元之间的间距； 上驱动单元包括：滑设在两个门形支架纵梁上的两个升降滑台，两个升降滑台分别通过一个以上调高气缸与支架座连接；两个升降滑台之间通过两个以上承载梁连接，滑设在两个以上承载梁上的上驱动座与电动推杆一端连接，电动推杆另一端连接在一个升降滑台上；上驱动座底部设有与上运动平台连接的上接装板；上驱动座上还设有与下驱动单元配合设置的对准滑道； 下驱动单元包括：固定在支架座上的两个承载架，两个承载架之间转动连接平行设置的横向丝杠和横向蜗杆，横向丝杠和横向蜗杆分别与装设在承载架上的丝杠电机和蜗杆电机连接，横向丝杠中部螺纹连接下驱动座，下驱动座上设有用于连接下运动平台的下接装板，下驱动座滑动配合在横向蜗杆上；横向蜗杆与固设在轮轴上的蜗轮啮合，横向转设在下驱动座上的轮轴与横向丝杠垂直交错设置；轮轴中部固接有解锁齿轮，解锁齿轮与滑设在下驱动座纵向滑道内的对准齿条啮合，上驱动单元与下驱动单元在运动至同一x-y坐标系位置时，对准齿条可插入至上驱动座的对准滑道内。

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