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龙图腾网获悉厦门大学;嘉庚创新实验室申请的专利一种氮化镓器件形成方法及氮化镓器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789623B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411969264.8，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种氮化镓器件形成方法及氮化镓器件是由吴小琦;黄凯;李金钗;杨旭;张荣设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓器件形成方法及氮化镓器件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种氮化镓器件形成方法及氮化镓器件。本发明提供的氮化镓器件的形成方法，包括以下步骤：提供待刻蚀基体；待刻蚀基体至少包括层叠设置的：衬底层、第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层；干法刻蚀待刻蚀基体；在刻蚀气体环境下，通过电感耦合等离子刻蚀，在待刻蚀基体形成刻蚀槽，使待刻蚀基体形成初步刻蚀器件；其中化学腐蚀与物理轰击共同作用；损伤修复；在修复气体环境下，通过电感耦合等离子刻蚀，使初步刻蚀器件形成目标刻蚀器件。其中化学腐蚀起主导作用。本发明可以解决干法刻蚀氮化镓器件会对产品结构侧壁造成损伤，加重侧壁缺陷，导致非辐射复合几率变大的问题。

本发明授权一种氮化镓器件形成方法及氮化镓器件在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓器件形成方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供待刻蚀基体；所述待刻蚀基体至少包括层叠设置的：衬底层、第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层；所述第一导电类型氮化镓层和所述第二导电类型氮化镓层导电类型相反； 干法刻蚀所述待刻蚀基体；在刻蚀气体环境下，通过电感耦合等离子刻蚀，在所述待刻蚀基体形成刻蚀槽，使所述待刻蚀基体形成初步刻蚀器件；所述刻蚀槽自所述第二导电类型氮化镓层向所述衬底层延伸，贯穿所述量子阱层，槽底深入至所述第一导电类型氮化镓层；其中，化学腐蚀与物理轰击共同作用； 损伤修复；在修复气体环境下，通过电感耦合等离子刻蚀，使所述初步刻蚀器件形成目标刻蚀器件；其中，化学腐蚀起主导作用； 所述损伤修复步骤中，包括以下步骤： 在所述第二导电类型氮化镓层远离所述衬底层一侧形成第二刻蚀掩模，所述第二刻蚀掩模暴露所述刻蚀槽； 在电感耦合等离子刻蚀机中，向工艺腔室中通入所述修复气体，以所述第二刻蚀掩模为掩模，电感耦合等离子刻蚀所述初步刻蚀器件； 去除所述第二刻蚀掩模，形成所述目标刻蚀器件； 所述氮化镓器件形成方法还包括以下步骤： 使用吹扫气体吹扫所述目标刻蚀器件，去除残余的所述刻蚀气体和所述修复气体； 所述吹扫所述目标刻蚀器件的步骤中，包含若干个吹扫循环；每一所述吹扫循环中，包含两个吹扫阶段； 所述两个吹扫阶段包括：持续向工艺腔室中通入所述修复气体的第一阶段和持续抽真空的第二阶段。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门大学;嘉庚创新实验室，其通讯地址为：361005 福建省厦门市思明区思明南路422号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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