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龙图腾网获悉国电投新能源科技有限公司申请的专利铜电镀背接触异质结电池的制备方法及异质结电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789587B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510084555.7，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权铜电镀背接触异质结电池的制备方法及异质结电池是由夏鹏;宫元波;宿世超;李世岚;王建强;田宏波设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本铜电镀背接触异质结电池的制备方法及异质结电池在说明书摘要公布了：本申请涉及异质结太阳电池技术领域，具体公开一种铜电镀背接触异质结电池的制备方法及异质结电池，包括对硅片衬底背光面沉积第一本征非晶硅层、第一磷掺杂硅层、保护层及激光牺牲层，对背光面开设第一沟槽；后进行制绒、圆化及清洗；背光面再沉积第二本征非晶硅层及硼掺杂硅层，在两个第一沟槽之间开设第二沟槽；背光面依次沉积透明导电薄膜层及铜种子层，制备油墨层，曝光显影图形化后，在背光面电镀铜栅线电极后去除油墨层及部分铜合金种子层，并在第一沟槽与第二沟槽之间开设第三沟槽隔断透明导电薄膜层，得到铜栅线背接触异质结电池，方法将制绒与制铜栅线结合，工艺步骤少，实现铜栅线线宽灵活可调且更加精细，提高异质结太阳电池的光电转换效率和生产良率。

本发明授权铜电镀背接触异质结电池的制备方法及异质结电池在权利要求书中公布了：1.一种铜电镀背接触异质结电池的制备方法，其特征在于，包括： 获取硅片衬底，对所述硅片衬底背光面依次沉积第一本征非晶硅层、第一磷掺杂硅层、保护层及激光牺牲层，以形成N型导电区； 采用分段式第一激光对所述N型导电区表面烧蚀至所述硅片衬底表面部分暴露形成第一沟槽； 采用第一浓度氢氧化钾溶液、第二浓度氢氧化钾溶液及第一浓度氢氟酸水溶液依次对开槽后的硅片进行制绒、圆化及清洗得到第一硅片中间体； 对所述第一硅片中间体背光面依次沉积第二本征非晶硅层及硼掺杂硅层，并采用第二激光对沉积后的每两个所述第一沟槽之间区域烧蚀至所述保护层表面部分暴露形成第二沟槽； 采用第二浓度的氢氟酸水溶液对开设所述第二沟槽后的硅片进行清洗，去除硅片衬底生成的氧化硅以及所述第二沟槽内的保护层，并在清洗后对硅片受光面依次沉积第三本征非晶硅层、第二磷掺杂硅层及减反射层，得到第三硅片中间体； 对所述第三硅片中间体背光面依次沉积透明导电薄膜层及铜合金种子层，在沉积后背光面制备油墨，曝光显影去除第一沟槽和第二沟槽上油墨，露出栅线电极图案后电镀生成铜栅线电极，得到第四硅片中间体； 对所述第四硅片中间体采用湿法溶液去除剩余油墨层及铜合金种子层，得到第五硅片中间体； 对所述第五硅片中间体的所述第一沟槽与所述第二沟槽之间区域采用第三激光烧蚀至所述硼掺杂硅层表面部分暴露形成第三沟槽，得到铜栅线背接触异质结电池。

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