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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种氮化镓和砷化镓三维异质集成射频芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789509B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411650425.7，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权一种氮化镓和砷化镓三维异质集成射频芯片及其制备方法是由刘志宏;罗诗文;周瑾;危虎;杜航海;邢伟川;张苇杭;周弘;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓和砷化镓三维异质集成射频芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓和砷化镓三维异质集成射频芯片及其制备方法，所述结构自下而上包括背金属、衬底、氮化镓器件外延层、键合介质层、砷化镓器件外延层、氮化镓器件电极源极、氮化镓器件电极栅极、氮化镓器件电极漏极、砷化镓器件电极源极、砷化镓器件电极栅极、砷化镓器件电极漏极、氮化镓背通孔、砷化镓背通孔、正面通孔、氮化镓外表面电极源极、氮化镓外表面电极漏极，砷化镓器件外延层上表面的电极根据需要进行互联，形成一定功能的集成电路。本发明可以使氮化镓和砷化镓射频器件的电极具有极小的空间间距，减少了高频下长距离传输信号的损耗和寄生参数的影响，并且减小了芯片面积与芯片体积，减少了封装成本。

本发明授权一种氮化镓和砷化镓三维异质集成射频芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓和砷化镓三维异质集成射频芯片，自下而上包括背金属1、衬底2、氮化镓器件外延层3、键合介质层4、砷化镓器件外延层8；其特征在于： 所述氮化镓器件外延层3上表面设有氮化镓器件电极源极61、氮化镓器件电极栅极62、氮化镓器件电极漏极63； 所述砷化镓器件外延层8上表面设置砷化镓器件电极源极71、砷化镓器件电极栅极72、砷化镓器件电极漏极73； 设置氮化镓背通孔5由下至上穿过衬底2和氮化镓器件外延层3，氮化镓背通孔5连接背金属1和氮化镓器件电极源极61； 设置砷化镓背通孔6由下至上穿过衬底2和键合介质层4和砷化镓器件外延层8，砷化镓背通孔6连接背金属1和砷化镓器件电极源极71； 设置正面通孔7由下至上穿过键合介质层4和砷化镓器件外延层8，将在键合介质层4掩埋的氮化镓器件电极栅极62和氮化镓器件电极漏极63分别通过沉积在正面通孔7中的金属连接到砷化镓器件外延层8上表面的氮化镓外表面电极源极621和氮化镓外表面电极漏极631；砷化镓器件外延层8上表面的氮化镓外表面电极源极621、氮化镓外表面电极漏极631、砷化镓器件电极源极71、砷化镓器件电极栅极72和砷化镓器件电极漏极73根据需要进行互联，形成集成电路。

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