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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种垂直氮化镓基鳍式射频结型场效应晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789468B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411654431.X，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种垂直氮化镓基鳍式射频结型场效应晶体管及制备方法是由刘志宏;林诗晨;孙秀竹;秦梓钤;周瑾;杜航海;邢伟川;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种垂直氮化镓基鳍式射频结型场效应晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直氮化镓基鳍式射频结型场效应晶体管及制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、漏极接触层；沟道层，设置于所述漏极接触层之上，由鳍部沟道层和非鳍部沟道层组成；源极接触层，设置于所述鳍部沟道层之上；P型栅，设置于鳍部沟道层的两侧以及非鳍部沟道层的部分表面；栅电极，设置于所述P型栅延伸部分，与所述P型栅形成欧姆接触或肖特基接触；漏电极，设置于所述漏极接触层之上，与漏极接触层形成欧姆接触；该垂直氮化镓基鳍式射频结型场效应晶体管及制备方法，有益于实现增强型工作，并且提高了栅电极的耐压能力，扩大了栅极信号输入动态范围，提高了器件的长期可靠性。

本发明授权一种垂直氮化镓基鳍式射频结型场效应晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直氮化镓基鳍式射频结型场效应晶体管的制备方法，所述晶体管包括从下至上依次层叠设置的衬底层1、成核层2、缓冲层3、漏极接触层4；沟道层5，设置于所述漏极接触层4之上，由非鳍部沟道层52和多个鳍部沟道层51组成；源极接触层6，设置于所述鳍部沟道层51之上；P型栅71，设置于鳍部沟道层51的两侧以及非鳍部沟道层52的部分表面；栅电极7，设置于所述P型栅71延伸部分，与所述P型栅71形成欧姆接触或肖特基接触；漏电极8，设置于所述漏极接触层4之上，与漏极接触层4形成欧姆接触；源电极9，设置于所述源极接触层6之上，与源极接触层6形成欧姆接触；其中，所述缓冲层3及P型栅71的材料为三族氮化物半导体材料；所述漏极接触层4的材料为GaN、AlGaN或InGaN，厚度为50nm至2μm，掺杂杂质为Si，掺杂浓度为1×1017至1×1021cm-3；所述沟道层5的材料为氮化镓、AlGaN或InGaN，厚度为100nm至10μm，掺杂杂质为Si，掺杂浓度为1×1015至1×1018cm-3；所述源极接触层6的材料为GaN、AlGaN或InGaN，厚度为10nm至1μm，掺杂杂质为Si，掺杂浓度为1×1017至1×1021cm-3，其特征在于，所述方法包括： S1、选取衬底层1； S2、在所述衬底层1上依次外延生长成核层2、缓冲层3、漏极接触层4、沟道层5、源极接触层6； S3、对所述沟道层5和源极接触层6进行刻蚀，形成鳍部沟道层51； S4、在部分所述沟道层5表面进行P-GaN再生长，形成P型栅71； S5、刻蚀沟道层5，以使漏极接触层4的两端暴露； S6、在所述源极接触层6上方制备源电极9，在所述漏极接触层4两端制备漏电极8； S7、在P型栅71的延伸部分制备栅电极7。

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