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龙图腾网获悉北京邮电大学;辽宁工业大学;中国电子科技集团公司第五十四研究所申请的专利一种太赫兹波段高电容比的金属并联式RF MEMS开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119786915B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411653916.7，技术领域涉及：H01P1/15；该发明授权一种太赫兹波段高电容比的金属并联式RF MEMS开关是由黄建明;何小龙;张乃柏;关维国;潘庆华;崔岩松;王子莱;汪春霆设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太赫兹波段高电容比的金属并联式RF MEMS开关在说明书摘要公布了：本发明公开了一种太赫兹波段高电容比的金属并联式RFMEMS开关，属于射频前端器件领域。整体结构由支流端口金属块，直流偏置线，微带线匹配结构，金属梁MEMS开关，金属梁的金属电极，氮化硅绝缘层，硅基衬底，共面波导金属地和金属地组成。金属梁的金属锚点连接到共面波导金属地，右上侧的直流端口通过直流偏置线连接到共面波导金属地，左上侧的直流端口通过直流偏置线连接到金属电极，可以通过在左侧的直流端口输入不同直流电压来控制金属梁的抬起与吸附到电极的状态，分别对应开关的导通与断开状态；本发明设计的并联MEMS开关工作与103.33G‑170G之间，保证断开状态隔离度高于33.67dB；导通状态插入损耗低于0.8dB。微秒量级的反应时间，且不易发生破坏性形变；结构简单。

本发明授权一种太赫兹波段高电容比的金属并联式RF MEMS开关在权利要求书中公布了：1.一种太赫兹波段高电容比的金属并联式RFMEMS开关，包括共面波导金属地14、硅基衬底15和金属地42，共面波导金属地14位于硅基衬底15的上表面；金属地42位于硅基衬底15的下表面；其特征在于，还包括直流端口金属块、直流偏置线、微带线匹配结构13和金属梁MEMS开关；直流端口金属块、微带线匹配结构13和金属梁MEMS开关的金属电极均位于硅基衬底15的上表面； 所述微带线匹配结构13位于共面波导金属地围成的区域内，其中间位置设置有氮化硅薄膜； 所述金属梁MEMS开关的两侧桥墩均位于共面波导金属地上，且架在氮化硅薄膜的正上方；所述直流端口金属块设有2组，两组直流端口金属块均位于共面波导金属地围成的区域外，其中一组直流端口金属块连接共面波导金属地，另一直流端口金属块通过直流偏置线连接金属梁MEMS开关的金属电极。

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