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龙图腾网获悉中国科学院沈阳自动化研究所申请的专利抗辐照正方环栅MOSFET半导体器件建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119783610B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311281606.2，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权抗辐照正方环栅MOSFET半导体器件建模方法是由程贺;杨志家;张志鹏;张超;段茂强设计研发完成，并于2023-10-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本抗辐照正方环栅MOSFET半导体器件建模方法在说明书摘要公布了：一种抗辐照正方环栅MOSFET半导体器件建模方法，属于微电子器件建模领域，包括步骤：1通过代工厂PDK库提取直栅MOSFET半导体器件的关键工艺参数；2根据所述工艺参数建立梯形栅MOSFET半导体器件的物理模型；3明确抗辐照正方环栅MOSFET半导体器件的几何结构及等价子电路拓扑；4根据所述物理模型和电路拓扑，反推提取所述模型的部分重要结构拓扑特征参数；5结合其他模型工艺参数，建立完整的BSIM3V3.2整套模型。该建模方法针对N型MOSFET仿真与TCAD数值计算比较的ID‑VG特性误差小于5％，能够精确反应抗辐照半导体器件性能，克服了半导体器件仿真与半导体工艺之间的延时，为基于抗辐照半导体器件的早期电路设计和技术开发提供可靠的研究基础。

本发明授权抗辐照正方环栅MOSFET半导体器件建模方法在权利要求书中公布了：1.抗辐照正方环栅MOSFET半导体器件建模方法，其特征在于，包括以下步骤： 1获取直栅MOSFET半导体器件的关键工艺参数； 2根据关键工艺参数建立梯形栅半导体器件的等效物理模型； 3基于梯形栅半导体器件，构建抗辐照正方环栅MOSFET半导体器件的几何结构及等价子电路拓扑； 4根据等效物理模型以及等价子电路拓扑，提取抗辐照正方环栅MOSFET半导体器件模型的重要结构拓扑特征参数； 5提取正方环栅MOSFET半导体器件的其他模型工艺参数，并利用重要结构拓扑特征参数进行仿真，得到抗辐照正方环栅MOSFET半导体器件模型； 所述步骤4中，所述重要结构拓扑特征参数包括：梯形栅宽度Weq、漏极有源区周长PD，源极有源区周长PS，漏极有源区面积AD，源极有源区面积AS，并联管数量m，其中： PD＝Weff PS＝2·Weff+4·Leff+2·LS 其中，Leff为直栅器件的有效沟道长度，Weff为直栅器件漏极的有效有源区宽度，LS为各子器件成分的源极有源区沟道方向长度； 所述Leff和Weff具体为： 其中，L为直栅器件栅极长度，W为直栅器件漏极的有源区宽度，LINT为直栅沟道长偏移拟合参数，LL为直栅沟道长偏移的沟道长度相关系数，LW为直栅沟道长偏移的沟道宽度相关系数，LWL为直栅沟道长度偏移的长宽交叉项系数，LLN为直栅沟道长偏移的沟道长度相关幂数，LWN为直栅沟道长偏移的沟道宽度相关幂数，WINT为直栅沟道宽偏移拟合参数，WL为直栅沟道宽偏移的沟道长度相关系数，WW为直栅沟道宽偏移的沟道宽度相关系数，WWL为直栅沟道宽度偏移的长宽交叉项系数，WLN为直栅沟道宽偏移的沟道长度相关幂数，WWN为直栅沟道宽偏移的沟道宽度相关幂数。

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