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龙图腾网获悉黑龙江汇芯半导体有限公司申请的专利一种防反灌保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119765239B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411971809.9，技术领域涉及：H02H11/00；该发明授权一种防反灌保护电路是由冯宇翔;周晓;区肇栋;尤家亮;单联瑜;文健;谢颖熙;郭家杰设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种防反灌保护电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种防反灌保护电路，包括：供电电源、启动模块、基准模块、比较模块、防反灌模块以及采集模块；防反灌模块包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、三极管以及稳压二极管；第一MOS管的漏极连接供电电源，第一MOS管的源极连接第二MOS管的源极，第二MOS管的漏极连接稳压二极管的负极，第一MOS管的栅极分别与第二MOS管的栅极、稳压二极管的正极以及三极管的集电极连接并共同作为防反灌模块的输出端连接至采集模块；三极管的基极连接第三MOS管的栅极并作为防反灌模块的输入端连接至比较模块。本发明的功耗小，散热低，并且基准电压稳定，响应速度快，抗噪声能力强。

本发明授权一种防反灌保护电路在权利要求书中公布了：1.一种防反灌保护电路，其特征在于，包括：供电电源、启动模块、基准模块、比较模块、防反灌模块以及采集模块；所述供电电源用于分别为所述启动模块、所述基准模块、所述比较模块、所述防反灌模块以及所述采集模块供电；所述启动模块依次与所述基准模块、所述比较模块、所述防反灌模块以及所述采集模块电连接，所述采集模块的输出端用于输出至负载； 所述防反灌模块包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、三极管以及稳压二极管；所述第一MOS管的漏极连接所述供电电源，所述第一MOS管的源极连接所述第二MOS管的源极，所述第二MOS管的漏极连接所述稳压二极管的负极，所述第一MOS管的栅极分别与所述第二MOS管的栅极、所述稳压二极管的正极以及所述三极管的集电极连接并共同作为所述防反灌模块的输出端连接至所述采集模块；所述三极管的基极连接所述第三MOS管的栅极并作为所述防反灌模块的输入端连接至所述比较模块；所述三极管的发射极接地，所述第三MOS管的源极和漏极分别接地； 所述启动模块包括第四MOS管、第五MOS管以及第六MOS管； 所述第四MOS管的源极作为所述启动模块的输入端连接至所述供电电源，所述第四MOS管的栅极用于连接所述基准模块的输出电压；所述第四MOS管的漏极分别连接所述第五MOS管的漏极和所述第五MOS管的栅极，所述第五MOS管的栅极还连接所述第六MOS管的栅极，所述第五MOS管的源极和所述第六MOS管的源极分别接地；所述第六MOS管的漏极作为所述启动模块的输出端连接至所述基准模块的输入端。

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