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龙图腾网获悉黑龙江汇芯半导体有限公司申请的专利一种欠压保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119765197B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411971799.9，技术领域涉及：H02H3/24；该发明授权一种欠压保护电路是由冯宇翔;周晓;区肇栋;尤家亮;单联瑜;文健;谢颖熙;郭家杰设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种欠压保护电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种欠压保护电路，包括：依次电连接的采样模块、启动模块、基准模块、比较模块、触发模块、开关模块以及负载；采样模块的输入端用于连接供电电源；基准模块包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管以及第一电阻；第一晶体管的源极与第二晶体管的源极连接并共同连接供电电源，第一晶体管的栅极连接第二晶体管的栅极，第一晶体管的漏极连接第三晶体管的漏极，第一晶体管的栅极还分别连接第二晶体管的漏极和启动模块的输出端并作为基准模块的输入端；第一晶体管的漏极分别第三晶体管的漏极和栅极。本发明的欠压保护电路可以降低功耗，提高抗噪声能力，提高了产品稳定性。

本发明授权一种欠压保护电路在权利要求书中公布了：1.一种欠压保护电路，其特征在于，包括：依次电连接的采样模块、启动模块、基准模块、比较模块、触发模块、开关模块以及负载；所述采样模块的输入端用于连接供电电源； 所述基准模块包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管以及第一电阻；所述第一晶体管的源极与所述第二晶体管的源极连接并共同连接所述供电电源，所述第一晶体管的栅极连接所述第二晶体管的栅极，所述第一晶体管的漏极连接所述第三晶体管的漏极，所述第一晶体管的栅极还分别连接所述第二晶体管的漏极和所述启动模块的输出端并作为所述基准模块的输入端；所述第一晶体管的漏极分别与所述第三晶体管的漏极和栅极连接，所述第三晶体管的栅极连接所述第四晶体管的栅极，所述第三晶体管的源极接地，所述第四晶体管的源极连接所述第一电阻并接地，所述第四晶体管的漏极连接所述第二晶体管的漏极并共同作为基准模块的输出端连接所述比较模块的输入端； 所述启动模块包括第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管，所述第五晶体管的源极连接所述第六晶体管的源极并接地，所述第五晶体管的栅极连接所述第六晶体管的栅极，所述第五晶体管的漏极分别连接所述第五晶体管的栅极和所述第七晶体管的漏极，所述第七晶体管的栅极用于连接第二偏置电压，所述第七晶体管的源极作为所述启动模块的输入端连接所述供电电源，所述第六晶体管的漏极作为所述启动模块的输出端。

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