中国科学院半导体研究所薛春来获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利一种半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119765014B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411836040.X，技术领域涉及：H01S5/125；该发明授权一种半导体激光器及其制备方法是由薛春来;张斯琦;丛慧;徐驰设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体激光器及其制备方法，包括层叠设置的衬底、锗波导层和锗锡外延结构，锗波导层远离衬底的一侧包括相互连接的第二波导部和第三波导部，第二波导部自靠近第三波导部的一侧向远离第三波导部的一侧的宽度逐渐降低，锗锡外延结构形成于第三波导部上，且第三波导部上设置有布拉格光栅。通过将锗锡外延结构的有源层中Sn组分的质量分数控制在9％～13％之间，以使锗锡外延结构在被电激发时能够向外输出预设波长的红外光，而布拉格光栅作为谐振腔对光进行反射振荡后，再耦合进入第二波导部，实现了半导体激光器的单纵模稳定出光，最后利用宽度渐变的第二波导部对单纵模输出的红外光进行光束整形输出，提高了红外光与外部光纤的耦合效率。
本发明授权一种半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器，其特征在于，包括： 衬底； 锗波导层，包括位于所述衬底上的第一波导部，以及位于所述第一波导部上的第二波导部和第三波导部，所述第二波导部和所述第三波导部相互连接，所述第二波导部自靠近所述第三波导部的一侧向远离所述第三波导部的一侧的宽度逐渐降低；所述第三波导远离所述衬底的一侧形成有布拉格光栅； 锗锡外延结构，位于所述第三波导部上，且覆盖所述布拉格光栅；所述锗锡外延结构包括下包层、上包层和位于两者之间的有源层，所述有源层中Sn组分的质量分数介于9％～13％之间。
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