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龙图腾网获悉江苏华创微系统有限公司申请的专利一种栅偏压控制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119759159B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411895517.1，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种栅偏压控制电路是由曾泫鸿;林叶;张益杰;杨伟;罗雪梅设计研发完成，并于2024-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种栅偏压控制电路在说明书摘要公布了：包括反相器、M1管、M2管、M3管、M4管、M5管、M6管、B1管、M7管、电阻R1和电阻R2；其中，M2管、M4管、M6管和M7管为NMOS管，M1管、M3管和M5管为PMOS管，B1管为三极管；M1管的漏极、M2管的漏极、B1管的发射极、M7管的源极及M5管的源极并接后，接入PWN管的栅端，作为PWN管的栅偏压。优点：本发明与通用VCCA电源电压作为PWN管栅偏压电路相比，本专利采用PNW栅偏压控制电路结构，改善了全条件下信号输出波形的延迟问题和全条件下信号传输最大速率问题。

本发明授权一种栅偏压控制电路在权利要求书中公布了：1.一种栅偏压控制电路，其特征在于，该栅偏压控制电路接入PWN管的栅端，所述栅偏压控制电路包括反相器、M1管、M2管、M3管、M4管、M5管、M6管、B1管、M7管、电阻R1和电阻R2， 外部输入的使能信号OE接反相器输入，反相器输出接M1管和M2管的栅极，M1管的源极接VCCB电压，M2管的源极接地电位；M1管的漏极接M2管的漏极； 使能信号OE刚有效的一段脉冲接B1管的基极及M7管的栅极，B1管的集电极通过电阻R1接到VCCB电源，M7管的漏极通过电阻R2接到VCCB电源；M5管的栅极接M3管的栅极和漏极及M4管的漏极，M3管的源极接VCCA电源，M4管的源极接地电位；M5管的漏极接M4管的栅极及M6管的栅极和漏极，M6管的源极接地电位； M1管的漏极、M2管的漏极、B1管的发射极、M7管的源极及M5管的源极并接后，接入PWN管的栅端，作为PWN管的栅偏压；PWN管栅偏压=VCCA+vgs5-vgs3，其中vgs5为M5管的栅源电压，vgs3为M3管的栅源电压。

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