西安交通大学马伟获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种p型有机电化学晶体管生物传感器和制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119757498B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510123366.6，技术领域涉及：G01N27/414；该发明授权一种p型有机电化学晶体管生物传感器和制备方法及应用是由马伟;顾灵龙;王炳俊;赵超设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种p型有机电化学晶体管生物传感器和制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明属于有机电化学晶体管技术领域，公开了一种p型有机电化学晶体管生物传感器和制备方法及应用，传感器包括第一衬底和第二衬底，第一衬底上一侧设置有源极，源极上设置有聚合物半导体沟道，聚合物半导体沟道上设置有漏极，第一衬底上另一侧设置有第一浮栅，第一衬底、漏极与第一浮栅上覆盖第一电解质层；第二衬底上一侧设置有栅极，栅极上设置有栅极修饰层，第二衬底上另一侧设置有第二浮栅，第二衬底、栅极修饰层与第二浮栅上覆盖第二电解质层；第一浮栅和第二浮栅通过导线相连。本发明实现了对超低浓度10‑20molLH1N1病毒标志物的检测，并实现了超短时间内对10‑17molLH1N1病毒标志物的检测。
本发明授权一种p型有机电化学晶体管生物传感器和制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种p型有机电化学晶体管生物传感器，其特征在于，包括第一衬底1和第二衬底11； 第一衬底1上一侧设置有源极2，源极2上设置有聚合物半导体沟道3，聚合物半导体沟道3上设置有漏极4，第一衬底1上另一侧设置有第一浮栅9，第一衬底1、漏极4与第一浮栅9上设置有第一电解质层6； 第二衬底11上一侧设置有栅极5，栅极5上设置有栅极修饰层8，第二衬底11上另一侧设置有第二浮栅12，第二衬底11、栅极修饰层8与第二浮栅12上设置有第二电解质层7；第一浮栅9和第二浮栅12通过导线10相连； 源极2、聚合物半导体沟道3与漏极4组成的回路中施加漏极电压，源极2接地； 源极2、第一浮栅9、第二浮栅12、导线10、第一电解质层6、第二电解质层7、栅极5与栅极修饰层8组成的回路中施加栅极电压； 栅极修饰层8为含有目标待测物的靶向探针分子层的栅极修饰层。
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