同济大学张弛获国家专利权
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龙图腾网获悉同济大学申请的专利一种铟基亚硒酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119753843B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411989308.3，技术领域涉及：C30B29/46；该发明授权一种铟基亚硒酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用是由张弛;谌佳蓉;吴超设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铟基亚硒酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种铟基亚硒酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用，该晶体材料的化学式为InHSeO33·3H2O，分子量为552.77，属于三方晶系，其空间群为R3cNo.161，晶胞参数为α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝6。本发明所述的二阶非线性光学晶体InHSeO33·3H2O在1064nm激光照射下的粉末倍频效应约为KH2PO4晶体的0.1倍，且能实现相位匹配。此外，该晶体材料具有较短的紫外吸收截止边216nm，在激光调制、无线电设备、卫星通信等领域具有重要的应用价值。
本发明授权一种铟基亚硒酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用在权利要求书中公布了：1.一种铟基亚硒酸盐二阶非线性光学晶体材料，其特征在于，其化学式为InHSeO33·3H2O，该晶体材料属于三方晶系，空间群为R3c，晶胞参数为a=9.9~10.0Å，b=9.9~10.0Å，c=20.0~20.1Å，α=β=90°，γ=120°，Z=6。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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