哈工大苏州研究院;哈尔滨工业大学毕梦雪获国家专利权
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龙图腾网获悉哈工大苏州研究院;哈尔滨工业大学申请的专利一种多相掺杂高导电钨铜复合材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119753405B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411901720.5，技术领域涉及：C22C1/05；该发明授权一种多相掺杂高导电钨铜复合材料及其制备方法和应用是由毕梦雪;孙徕博;黄陆军;耿林;孙枫泊;鲁伟航;姚彦;陈润;张昕设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多相掺杂高导电钨铜复合材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：一种多相掺杂高导电钨铜复合材料及其制备方法和应用。本发明属于钨铜复合材料领域。本发明的目的是为了解决现有钨铜复合材料W、Cu浸润性不好以及机械性能和电性能难以兼顾的技术问题。本发明方法：通过磁控溅射分别在石墨烯粉表面和Cu粉表面沉积Co，分别获得MLG@Co粉末和Cu@Co粉末；然后将它们与钨粉球磨混粉，并利用热等静压进行烧结，得到多相掺杂的钨铜复合材料。本发明分别在石墨烯和Cu粉表面镀覆Co膜，优化了钨与铜之间的润湿性，显著提高了WCu复合材料的致密度和机械性能，同时通过调控MLG@Co、Cu@Co粉末和钨粉比例，使所得WCu复合材料兼具优异的导电性和机械性能。
本发明授权一种多相掺杂高导电钨铜复合材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种多相掺杂高导电钨铜复合材料的制备方法，其特征在于，所述方法： S1：通过磁控溅射分别在石墨烯粉表面和Cu粉表面沉积Co，分别获得MLG@Co粉末和Cu@Co粉末；在石墨烯粉表面镀覆Co的参数：工作气压为1~2Pa，偏压为-100V~-200V，Co靶功率为100~150W，时间1~3h；在Cu粉表面镀覆Co的参数：工作气压为1~2Pa，温度为50~200℃，偏压为-50V~-100V，Co靶功率为50~90W，时间1~3h； S2：将MLG@Co粉末、Cu@Co粉末及钨粉球磨混粉，并利用热等静压进行烧结，得到多相掺杂的钨铜复合材料，MLG@Co粉末、Cu@Co粉末及钨粉的质量百分含量分别为2~4%、10~30%、70~90%。
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