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龙图腾网获悉河北美泰电子科技有限公司申请的专利MEMS滤波隔离耦合器及加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119742558B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510183082.6，技术领域涉及：H01P1/36；该发明授权MEMS滤波隔离耦合器及加工方法是由翟晓飞;汪蔚;吴国安;周嘉;侯凯强;刘博达;田松杰;高伟钊;李志东设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS滤波隔离耦合器及加工方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种MEMS滤波隔离耦合器及加工方法，属于射频MEMS无源器件技术领域，其中MEMS滤波隔离耦合器包括金属载体、硅芯片和磁钢；硅芯片包括叠加的下层硅晶圆和上层硅晶圆，下层硅晶圆下表面与金属载体连接，下层硅晶圆的下端开设有开口朝下的安装槽，安装槽用于容纳旋磁铁氧体；下层硅晶圆和上层硅晶圆纵向连接并在两者之间形成金属电路，金属电路包括滤波器功能电路、隔离器功能电路及耦合器功能电路；磁钢粘接在上层硅晶圆的上端面。本发明提供的MEMS滤波隔离耦合器，采用硅基带状线和多层基片集成波导结构，设计的射频器件有更高功率容量、具备全电磁屏蔽效果，有效解决当前通讯设备复杂、电磁环境干扰严重的问题。

本发明授权MEMS滤波隔离耦合器及加工方法在权利要求书中公布了：1.MEMS滤波隔离耦合器，其特征在于，包括金属载体3、硅芯片和磁钢5；所述硅芯片包括叠加的下层硅晶圆2和上层硅晶圆1，所述下层硅晶圆2下表面与所述金属载体3连接，所述下层硅晶圆2的下端开设有开口朝下的安装槽12，所述安装槽12用于容纳旋磁铁氧体4，安装槽侧壁不进行金属化；所述下层硅晶圆2和所述上层硅晶圆1纵向连接并在两者之间形成金属电路9，所述金属电路9包括滤波器功能电路15、隔离器功能电路17及耦合器功能电路18；所述下层硅晶圆2和所述上层硅晶圆1均具有沿厚度方向的金属化过孔，所述金属化过孔用于连接所述金属电路9；所述磁钢5粘接在所述上层硅晶圆1的上端面； 所述下层硅晶圆2的下表面具有下端金属地图形11，所述金属地图形用于连接所述金属载体3；所述下层硅晶圆2的上表面具有下端电路金属图形13，所述上层硅晶圆1的下表面具有上端电路金属图形14，所述下端电路金属图形13和所述上端电路金属图形14键合连接形成所述金属电路9；所述上层硅晶圆1的上表面具有上端金属地图形10； 所述金属化过孔包括贯穿所述下层硅晶圆2的下端通孔和贯穿所述上层硅晶圆1的上端通孔8，所述下端通孔连通所述下端金属地图形11和所述金属电路9，所述上端通孔8连通所述上端金属地图形10和所述金属电路9；所述金属化过孔的横截面为圆形，所述金属化过孔的内径朝向所述金属电路9的方向逐渐减小。

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