北京工业大学侯志灵获国家专利权
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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种基于Bi2Se3/SiO2交替多层膜的光热选择性吸收器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119738981B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411801509.6，技术领域涉及：G02F1/00；该发明授权一种基于Bi2Se3/SiO2交替多层膜的光热选择性吸收器是由侯志灵;蔡家宁;张均营;高雪松设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于Bi2Se3/SiO2交替多层膜的光热选择性吸收器在说明书摘要公布了：一种基于Bi2Se3SiO2交替多层膜的光热选择性吸收器属于太阳能应用领域。最底层为金属基底，基底厚度应大于入射光在金属中的趋肤深度，这将保证入射光进入涂层后无法透射出去；金属基底上不同厚度的SiO2薄膜和Bi2Se3薄膜依次交替排列，构成阻抗匹配调控层，通过厚度调控Bi2Se3SiO2交替多层膜的折射率和消光系数；最顶层的Bi2Se3薄膜为黑体热辐射控制功能层，通过薄膜厚度调节使热辐射频域处于该薄膜的金属反射区。在顶层Bi2Se3薄膜两端增加电极施加电压，通过电压调控各层膜的电输运特性，这将改变Bi2Se3薄膜的折射率与消光系数，从而调节不同入射角的等效阻抗，确保Bi2Se3SiO2交替多层膜在各入射角下始终保持整体等效阻抗匹配状态。
本发明授权一种基于Bi2Se3/SiO2交替多层膜的光热选择性吸收器在权利要求书中公布了：1.一种基于Bi2Se3SiO2交替多层膜的光热选择性吸收器，其特征在于： 最底层为金属基底，基底厚度应大于入射光在金属中的趋肤深度，这将保证入射光进入涂层后无法透射出去； 金属基底上不同厚度的SiO2薄膜和Bi2Se3薄膜依次交替排列，构成阻抗匹配调控层，通过厚度调控Bi2Se3SiO2交替多层膜的折射率和消光系数； 最顶层的Bi2Se3薄膜为黑体热辐射控制功能层，通过薄膜厚度调节使热辐射频域处于该薄膜的金属反射区； 在顶层Bi2Se3薄膜两端增加电极施加电压，通过电压调控各层膜的电输运特性，这将改变Bi2Se3薄膜的折射率与消光系数，从而调节不同入射角的等效阻抗，确保Bi2Se3SiO2交替多层膜在各入射角下始终保持整体等效阻抗匹配状态。
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