广州光电存算芯片融合创新中心邓少芝获国家专利权
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龙图腾网获悉广州光电存算芯片融合创新中心申请的专利一种单原子层极化激元序构双参量太赫兹器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119738035B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411939581.5，技术领域涉及：G01J1/42；该发明授权一种单原子层极化激元序构双参量太赫兹器件及制备方法是由邓少芝;王锡描;陈焕君;许宁生设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单原子层极化激元序构双参量太赫兹器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单原子层极化激元序构双参量太赫兹器件及制备方法，其中，一种单原子层极化激元序构双参量太赫兹器件，包括：介质衬底、金属电极和序构探测材料；金属电极至少三个，序构探测材料的数量比金属电极的数量少一个；多个金属电极在介质衬底上沿第一方向依次排列；序构探测材料的材质为单原子层二维晶体；序构探测材料包括多个序构条带和设于序构条带两端的连接部，序构条带由多个相同形状的序构基元依次连接而成，多个序构条带在介质衬底上沿第二方向依次分布；每个序构探测材料的序构基元的形状均不同；每个序构探测材料设于序构条带两端的连接部在第一方向上分别连接相邻的两个金属电极；其中，第一方向和第二方向相互垂直。
本发明授权一种单原子层极化激元序构双参量太赫兹器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单原子层极化激元序构双参量太赫兹器件，其特征在于，包括：介质衬底、金属电极和序构探测材料； 所述金属电极至少三个，所述序构探测材料的数量比所述金属电极的数量少一个； 多个所述金属电极在所述介质衬底上沿第一方向依次排列； 所述序构探测材料的材质为单原子层二维晶体； 所述序构探测材料包括多个序构条带和设于序构条带两端的连接部，所述序构条带由多个相同形状的序构基元依次连接而成，多个所述序构条带在所述介质衬底上沿第二方向依次分布； 每个所述序构探测材料的序构基元的形状均不同； 每个所述序构探测材料设于所述序构条带两端的连接部在第一方向上分别连接相邻的两个所述金属电极； 其中，所述第一方向和第二方向相互垂直。
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