华中科技大学黄其柏获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于多频谐振的复合吸声超结构及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119724139B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411850466.0，技术领域涉及：G10K11/162；该发明授权一种基于多频谐振的复合吸声超结构及其设计方法是由黄其柏;刘成文;李君宇设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于多频谐振的复合吸声超结构及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于多频谐振的复合吸声超结构及其设计方法。本基于多频谐振的复合吸声超结构包括高频吸声结构、低频吸声结构以及填充于高频吸声结构和低频吸声结构内部的多孔吸声材料，其中，高频吸声结构包括位于同一层且等高设置的多个胞元互相并联嵌合而成，低频吸声结构包括多个等高且直线方向并联设置的多个胞元，低频吸声结构位于高频吸声结构的下方，高频吸声结构和低频吸声结构采用光敏树脂通过3D打印一体成型。本发明提出的吸声结构，具有多个不同的吸声峰，拓宽了低频吸声频带，显著增强低频宽带吸声能力。
本发明授权一种基于多频谐振的复合吸声超结构及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于多频谐振的复合吸声超结构，其特征在于，包括高频吸声结构、低频吸声结构以及填充于高频吸声结构和低频吸声结构内部的多孔吸声材料，其中， 所述高频吸声结构包括位于同一层且等高设置的多个胞元互相并联嵌合而成，低频吸声结构包括多个等高且直线方向并联设置的多个胞元，低频吸声结构位于高频吸声结构的下方，高频吸声结构和低频吸声结构采用光敏树脂通过3D打印一体成型；所述高频吸声结构包括等高设置的第一高频吸声胞元、第二高频吸声胞元、第三高频吸声胞元和第四高频吸声胞元，第一高频吸声胞元和第三高频吸声胞元并排设置，第二高频吸声胞元和第四高频吸声胞元并排设置。
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