西安微电子技术研究所李宏飞获国家专利权
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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种残余应力的量化表征方法及其粘接应力放大结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119714637B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411610748.3，技术领域涉及：G01L5/00；该发明授权一种残余应力的量化表征方法及其粘接应力放大结构是由李宏飞;吕青;李钰;皇甫蓬勃;姜洪雨设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种残余应力的量化表征方法及其粘接应力放大结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种残余应力的量化表征方法及其粘接应力放大结构，涉及封装技术领域，包括以下步骤：S1，剥离裸硅片表面的蓝膜；S2，通过拉曼光谱的选区测量对S1处理过的裸硅片进行表征；S3，把S1处理过的裸硅片通过气压将其吸附在点胶台上，使用粘接剂按照紧凑的回字形图案进行点胶，并且提高胶层厚度；S4，点胶完毕后，裸硅片上形成粘接剂层，在粘接剂层和粘接基底进行固化得到粘接应力放大结构；S5，通过拉曼光谱的选区测量对粘接应力放大结构的裸硅片进行表征；S6，得到拉曼光谱频移值Δwj，进而计算得到裸硅片所受的残余应力值。本发明有效地解决了常规芯片因尺寸和应力水平限制而难以进行准确拉曼光谱表征的难题。
本发明授权一种残余应力的量化表征方法及其粘接应力放大结构在权利要求书中公布了：1.一种残余应力的量化表征方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，剥离裸硅片3表面的蓝膜； S2，通过拉曼光谱的选区测量对S1处理过的裸硅片3进行表征，将得到的拉曼光谱曲线的峰值进行记录； S3，把S1处理过的裸硅片3通过气压将其吸附在点胶台上，使用粘接剂按照紧凑的回字形图案进行点胶，并且提高胶层厚度； S4，点胶完毕后，裸硅片3上形成粘接剂层2，在粘接剂层2上按压粘接基底1后进行固化得到粘接应力放大结构； S5，通过拉曼光谱的选区测量对粘接应力放大结构的裸硅片3进行表征，将粘接过后的裸硅片3测试得到的拉曼光谱曲线的峰值进行记录； S6，S5中得到的拉曼光谱曲线的峰值减去S2中得到的拉曼光谱曲线的峰值得到拉曼光谱频移值Δwj，根据得到的拉曼光谱频移值Δwj计算得到裸硅片3所受的残余应力值。
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