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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种抗单粒子辐射加固的氮化镓高电子迁移率晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698025B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411647324.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种抗单粒子辐射加固的氮化镓高电子迁移率晶体管是由曹艳荣;苏硕;张微微;张新祥;陈川;吴林珊;张芝贤;李苗芬;吕玲;许晟瑞;郑雪峰;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗单粒子辐射加固的氮化镓高电子迁移率晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗单粒子辐射加固的氮化镓高电子迁移率晶体管，包括：Si衬底、GaN缓冲层、设置在GaN缓冲层中顶层局部位置处的N型AlGaN层、设置在GaN缓冲层和N型AlGaN层之上的AlGaN势垒层、设置在N型AlGaN层上方且在AlGaN势垒层内部的P型GaN层、表面的SiN钝化层，以及漏电极、栅电极、源电极；本发明在栅极和漏极间势垒层下方生成N型AlGaN层，使得输出电流提高；通过在源漏之间生成P型GaN层与N型AlGaN层，可抬高导带能级，阻断关态下电子从源极向缓冲层的注入，降低缓冲层泄漏电流，削弱器件内部电场，减少电子‑空穴对的碰撞电离产生，降低单粒子瞬态电流，提升器件抗辐射性能。

本发明授权一种抗单粒子辐射加固的氮化镓高电子迁移率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种抗单粒子辐射加固的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括： Si衬底1、设置在Si衬底1上的GaN缓冲层2、设置在所述GaN缓冲层2中顶层局部位置处的N型AlGaN层3、设置在所述GaN缓冲层2和所述N型AlGaN层3之上的AlGaN势垒层4、设置在所述N型AlGaN层3上方且在所述AlGaN势垒层4内部的P型GaN层5、设置在所述AlGaN势垒层4和所述P型GaN层5之上的SiN钝化层6，以及漏电极7、栅电极8、源电极9； 其中，所述漏电极7位于所述AlGaN势垒层4、所述P型GaN层5、所述SiN钝化层6构成的叠层结构外，靠近所述P型GaN层5的一侧，所述源电极9位于所述叠层结构外的另一侧；所述栅电极8位于所述SiN钝化层6内，所述AlGaN势垒层4上方靠近所述源电极9的一侧；所述P型GaN层5的下表面接触所述N型AlGaN层3的上表面，且所述P型GaN层5的宽度小于所述N型AlGaN层3的宽度。

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