西安电子科技大学张鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种射频用微型栅极场板的半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698015B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411634358.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种射频用微型栅极场板的半导体器件的制备方法是由张鹏;雷文波;杨凌;宓珉翰;马晓华设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种射频用微型栅极场板的半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种射频用微型栅极场板的半导体器件的制备方法，包括：提供一异质结晶圆；在异质结晶圆的表面沉积钝化层，在钝化层的表面沉积介质层，在介质层的表面沉积硬掩模层；刻蚀硬掩模层、介质层和钝化层，形成栅极凹槽；对形成栅极凹槽的介质层进行腐蚀，使得栅极凹槽的部分区域在介质层扩展；栅极凹槽在介质层的尺寸为微型场版的长度；腐蚀掉硬掩模层；在介质层的表面，以及栅极凹槽内，光刻栅极区域，在栅极区域内沉积栅极金属，蒸发栅极金属后剥离，形成栅极；腐蚀掉介质层，形成微型场版栅极。本发明能够简化微型场版栅极的制备过程。
本发明授权一种射频用微型栅极场板的半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种射频用微型栅极场板的半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一异质结晶圆； 在所述异质结晶圆的表面沉积钝化层，在所述钝化层的表面沉积介质层，在所述介质层的表面沉积硬掩模层； 刻蚀所述硬掩模层、所述介质层和所述钝化层，形成栅极凹槽； 对形成所述栅极凹槽的所述介质层进行腐蚀，使得所述栅极凹槽的部分区域在所述介质层扩展；所述栅极凹槽在所述介质层的尺寸为微型场版的长度； 腐蚀掉所述硬掩模层； 在所述介质层的表面，以及所述栅极凹槽内，光刻栅极区域，在所述栅极区域内沉积栅极金属，蒸发所述栅极金属后剥离，形成栅极； 腐蚀掉所述介质层，形成微型场版栅极。
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