西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司李乐杰获国家专利权
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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利硅片的检测控制方法、装置、控制设备、程序产品及介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119694918B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411826856.4,技术领域涉及:H01L21/66;该发明授权硅片的检测控制方法、装置、控制设备、程序产品及介质是由李乐杰;刘飞;张钊;范东方;陈建勇设计研发完成,并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅片的检测控制方法、装置、控制设备、程序产品及介质在说明书摘要公布了:本发明提供了一种硅片的检测控制方法、装置、控制设备、程序产品及介质,属于半导体技术领域。包括:在装有至少一个硅片的载具到达检测设备的上料口的情况下,根据所述检测设备的异常下料口对应的硅片信息,判断所述至少一个硅片是否满足检测条件;在确定所述至少一个硅片满足检测条件的情况下,对所述至少一个硅片进行检测,获得检测结果;根据所述检测结果,对所述至少一个硅片进行处理。本发明的技术方案能够对异常硅片进行及时地自动处理,避免了异常硅片需要人工进一步分类而导致的检测效率低的问题。
本发明授权硅片的检测控制方法、装置、控制设备、程序产品及介质在权利要求书中公布了:1.一种硅片的检测控制方法,其特征在于,包括: 在装有至少一个硅片的载具到达检测设备的上料口的情况下,根据所述检测设备的异常下料口对应的硅片信息,判断所述至少一个硅片是否满足检测条件; 在确定所述至少一个硅片满足检测条件的情况下,对所述至少一个硅片进行检测,获得检测结果; 根据所述检测结果,对所述至少一个硅片进行处理; 其中,所述根据所述检测设备的异常下料口对应的硅片信息,判断所述至少一个硅片是否满足检测条件,包括: 根据所述硅片信息,判断所述异常下料口是否存在硅片; 在确定所述异常下料口存在硅片的情况下,获取所述至少一个硅片的第一批次信息和所述异常下料口的硅片的第二批次信息; 判断所述第一批次信息中的第一产品标识和所述第二批次信息中的第二产品标识是否一致; 在所述第一产品标识和所述第二产品标识一致的情况下,确定所述至少一个硅片满足检测条件; 所述方法还包括: 在确定所述异常下料口不存在硅片的情况下,确定所述至少一个硅片满足检测条件; 所述方法还包括: 在所述第一产品标识和所述第二产品标识不一致的情况下,将所述异常下料口的硅片排出所述检测设备; 确定所述至少一个硅片满足检测条件。
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