西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司苏艳宁获国家专利权
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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利硅片固定装置和硅片刻蚀设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119673859B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411788598.5,技术领域涉及:H01L21/687;该发明授权硅片固定装置和硅片刻蚀设备是由苏艳宁;孙介楠;陈曦鹏设计研发完成,并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅片固定装置和硅片刻蚀设备在说明书摘要公布了:本发明提供了一种硅片固定装置和硅片刻蚀设备,涉及半导体技术领域,硅片固定装置,包括:下承载台和上抵压台,硅片设置于下承载台朝向上抵压台的一面上;上抵压台上设置有多个抵压盘,每一抵压盘形成为内部中空的圆柱状结构,不同的抵压盘的直径不同,每一抵压盘能够在竖直方向上上升或下降;控制器,用于获取硅片的尺寸和硅片上待刻蚀的边缘区域的目标尺寸,根据目标尺寸和硅片的尺寸,控制多个抵压盘中的第一抵压盘下降抵压硅片的第一表面,以使第一表面暴露出目标尺寸的边缘区域。本发明可以匹配不同尺寸的硅片和不同尺寸的待刻蚀的边缘区域,通过一个硅片固定装置,即可以满足不同尺寸的硅片和不同尺寸的边缘区域的刻蚀需求。
本发明授权硅片固定装置和硅片刻蚀设备在权利要求书中公布了:1.一种硅片固定装置,其特征在于,包括: 在竖直方向上相对设置的下承载台和上抵压台,硅片设置于所述下承载台朝向所述上抵压台的一面上; 所述上抵压台上设置有多个抵压盘,其中,每一所述抵压盘形成为内部中空的圆柱状结构,不同的所述抵压盘的直径不同,每一所述抵压盘能够在竖直方向上上升或下降; 控制器,所述控制器用于获取所述硅片的尺寸和所述硅片上待刻蚀的边缘区域的目标尺寸,根据所述目标尺寸和所述硅片的尺寸,控制所述多个抵压盘中的第一抵压盘下降抵压所述硅片的第一表面,以使所述第一表面暴露出所述目标尺寸的边缘区域,其中,所述第一表面为所述硅片朝向所述上抵压台的表面。
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