中国科学技术大学程林获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利软开关电路导通损耗优化方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119652077B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510115512.0，技术领域涉及：H02M1/00；该发明授权软开关电路导通损耗优化方法及应用是由程林;闵庆庆;苑竞艺设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本软开关电路导通损耗优化方法及应用在说明书摘要公布了：本公开提供了一种软开关电路导通损耗优化方法及其应用，软开关电路包括储能电容、电感，并用于对功率级电路的开关节点的等效寄生电容进行充电，实现功率级电路零电压开关，软开关电路导通损耗优化方法包括操作S1‑S4：操作S1：确定一个开关周期内不同阶段的软开关电路电感电流的时序波形；操作S2：根据电感电流的时序波形获得一个开关周期内软开关导通损耗理论值；操作S3：根据电感电流的时序波形和导通损耗理论值确定软开关导通损耗与储能电容电压的关系并确定储能电容电压调控目标；操作S4：根据调控目标调整储能电容补电时间以使储能电容电压稳定于调控目标，实现实时对软开关电路导通损耗进行优化。
本发明授权软开关电路导通损耗优化方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种软开关电路导通损耗优化方法，所述软开关电路包括储能电容、电感，并用于对功率级电路的开关节点的等效寄生电容进行充电，实现功率级电路零电压开关，所述软开关电路导通损耗优化方法包括： 操作S1：确定一个开关周期内不同阶段的软开关电路电感电流的时序波形； 操作S2：根据所述电感电流的时序波形获得一个开关周期内软开关导通损耗理论值； 操作S3：根据所述电感电流的时序波形和导通损耗理论值确定软开关导通损耗与储能电容电压的关系并确定储能电容电压调控目标；以及 操作S4：根据所述调控目标调整储能电容补电时间以使储能电容电压稳定于调控目标，实现实时对软开关电路导通损耗进行优化； 操作S3中，软开关导通损耗与|VIN-2VCZVS|成正比，输入电压VIN不变，所以储能电容电压VCZVS的调控目标为0.5倍的输入电压。
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