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龙图腾网获悉国电投新能源科技有限公司申请的专利一种选择性电极接触异质结电池的制备方法及异质结电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119604070B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411840177.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种选择性电极接触异质结电池的制备方法及异质结电池是由李佳;宫元波;宿世超;李世岚;王建强;田宏波;王伟设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种选择性电极接触异质结电池的制备方法及异质结电池在说明书摘要公布了：本申请涉及异质结太阳电池技术领域，具体公开一种选择性电极接触异质结电池的制备方法及异质结电池，方法包括对硅片衬底进行第一次制绒，制绒后硅片进行掩膜层制备，硅片的第一次图形化处理，基于皮秒激光对硅片双面进行开槽处理，硅片的第二次制绒，将清洗后的硅片置于第二制绒混合液中，以使硅片双面槽内底面生成大绒面金字塔结构，对二次制绒后硅片去除第一掩膜层，并在硅片双面依次沉积包括本征非晶硅层等多层基于曝光显影在第一次图形化开设沟槽的硅片其他区域对位印刷第二掩膜层，对硅片电镀铜栅线，并对电镀栅线后硅片依次去除第二掩膜层以及铜种子层，得到选择性电极接触铜栅线异质结太阳电池，改善铜栅线脱栅问题并提高电池效率。

本发明授权一种选择性电极接触异质结电池的制备方法及异质结电池在权利要求书中公布了：1.一种选择性电极接触异质结电池的制备方法，其特征在于，包括： 步骤S10：硅片衬底的第一次制绒，将硅片衬底置于第一制绒混合液中，使所述硅片衬底双面生成小绒面金字塔结构，其中，金字塔结构大小介于0.5um-4um； 步骤S20：硅片的掩膜层制备，对第一次制绒后的硅片双面沉积作为二次制绒的第一掩膜层，其中，所述第一掩膜层厚度为50nm-250nm，折射率介于1.5-2.6之间； 步骤S30：硅片的第一次图形化处理，基于皮秒激光对硅片双面按电极栅线位置进行开槽处理，其中，开槽的深度完全烧蚀至暴露硅片衬底表面； 步骤S40：硅片的第二次制绒，对开槽后的硅片进行预清洗，将清洗后的硅片置于第二制绒混合液中，以使硅片双面槽内底面生成大绒面金字塔结构，其中，金字塔结构大小介于4um-10um； 步骤S50：对二次制绒后硅片去除第一掩膜层，并在硅片双面依次沉积包括本征非晶硅层、发射极层、TCO层以及电镀种子层； 步骤S60：硅片的第二次图形化处理，基于曝光显影在第一次图形化开设沟槽的硅片其他区域对位印刷第二掩膜层，其中，所述第二掩膜层为油墨掩膜层； 步骤S70：对硅片电镀铜栅线，并对电镀栅线后硅片依次去除第二掩膜层以及铜种子层，得到选择性电极接触铜栅线异质结太阳电池。

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