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龙图腾网获悉松山湖材料实验室;华南理工大学申请的专利一种MEMS加速度传感器芯片的结构与制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119568983B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411995340.2，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权一种MEMS加速度传感器芯片的结构与制备方法是由贾海强;刘杰;陆龙生;莫观孔;丁国建;汪洋;王晓晖;冯琦;于萍设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS加速度传感器芯片的结构与制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及微机电系统加速度计技术领域。具体涉及一种MEMS加速度传感器芯片的结构与制备方法。MEMS加速度传感器芯片的结构包括：敏感结构层，包括敏感质量块单元，包括主纵梁、敏感质量块和位于敏感质量块两侧的若干活动电极；敏感质量块与主纵梁弹性连接；敏感结构层还包括位于敏感质量块两侧的固定电极单元；固定电极单元至少包括若干固定电极；活动图电极与固定电极构成差分电容结构；其中，主纵梁通过主锚点与基底层连接固定；在主锚点沿主纵梁延伸方向的相对两侧还分别设置有主辅助锚点，主纵梁还分别通过主辅助锚点与基底层连接固定；主辅助锚点与主纵梁的连接结构，在敏感质量块单元的敏感方向的刚度小于非敏感方向的刚度。

本发明授权一种MEMS加速度传感器芯片的结构与制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS加速度传感器芯片的结构，其特征在于，包括： 传感器基体，所述传感器基体包括：层叠设置的基底层、功能层和敏感结构层； 所述敏感结构层包括敏感质量块单元，所述敏感质量块单元包括主纵梁、敏感质量块和位于所述敏感质量块两侧的若干活动电极；所述敏感质量块环绕所述主纵梁设置，与所述主纵梁弹性连接；所述活动电极与所述敏感质量块固定连接； 所述敏感结构层还包括位于所述敏感质量块两侧的固定电极单元；所述固定电极单元至少包括向所述主纵梁延伸的若干固定电极；所述固定电极单元与所述基底层固定连接； 所述功能层具有镂空区和环绕所述镂空区的边缘区，所述镂空区在所述敏感结构层的投影至少覆盖所述敏感质量块单元和所述固定电极单元；所述边缘区固定连接所述基底层和所述敏感结构层； 所述活动电极与所述固定电极构成差分电容结构；所述敏感质量块适于在外界施加加速度下沿主纵梁延伸方向发生位移，带动所述活动电极发生位移； 其中，所述主纵梁通过主锚点与所述基底层连接固定；在所述主锚点沿所述主纵梁延伸方向的相对两侧还分别设置有主辅助锚点，所述主纵梁还分别通过所述主辅助锚点与所述基底层连接固定；所述主辅助锚点为以所述主纵梁的中心轴为对称轴的轴对称结构；所述主辅助锚点与所述主纵梁的连接结构，在所述敏感质量块单元的敏感方向的刚度小于非敏感方向的刚度； 所述主辅助锚点与所述主纵梁通过主梁解耦梁连接； 所述主辅助锚点的宽度大于所述主纵梁的宽度；所述主辅助锚点的主体部与所述主纵梁的延伸方向垂直；所述主辅助锚点的主体部的两端沿所述主纵梁的延伸方向延伸出部分长度的连接部，所述连接部通过所述主梁解耦梁连接所述主纵梁的端部；所述主辅助锚点的主体部与所述基底层连接固定，所述主辅助锚点的连接部和所述主梁解耦梁悬空于所述基底层上； 所述主梁解耦梁适于沿所述主纵梁的延伸方向发生形变，以使所述主梁解耦梁连接所述主纵梁的位置与所述主辅助锚点的主体部之间的距离在受到热应力时发生敏感方向的变化。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人松山湖材料实验室;华南理工大学，其通讯地址为：523808 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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