中国核动力研究设计院于天达获国家专利权
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龙图腾网获悉中国核动力研究设计院申请的专利一种异质材料交替成型式密封壳制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119566332B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411581964.X,技术领域涉及:B22F10/38;该发明授权一种异质材料交替成型式密封壳制造方法是由于天达;陈西南;张进强;杨敏;齐超琪;赵凯;付国忠;吴昊;唐健凯;李维;杨晓晨;邓强;杨方亮;唐向东;胥春燕;唐源;张志强;刘彦霆;黄思语;袁天雅设计研发完成,并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种异质材料交替成型式密封壳制造方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种异质材料交替成型式密封壳制造方法,涉及密封壳制造技术领域,解决了现有导磁非导磁交替时密封壳的生产很难通过传统工艺高效实现的技术问题。本发明包括如下步骤:导磁非导磁异质材料成型参数固化;导磁非导磁交替密封壳模型处理;导磁非导磁交替密封壳成型轨迹规划;导磁非导磁交替密封壳成型前准备;导磁非导磁交替密封壳增减材成型;导磁非导磁交替密封壳后处理。本发明可以最大化材料的物理性能和功能特性,确保产品的尺寸精度和表面质量;确保材料层之间的良好结合,提高密封壳的整体强度和耐用性;降低了制造成本,实现导磁非导磁交替时密封壳的高效生产。
本发明授权一种异质材料交替成型式密封壳制造方法在权利要求书中公布了:1.一种异质材料交替成型式密封壳制造方法,其特征在于:包括如下步骤: S1:导磁非导磁异质材料成型参数固化:确定导磁非导磁材料的最佳排布顺序; S2:导磁非导磁交替密封壳模型处理:对密封壳的结构进行数字化建模,并根据步骤S1得到导磁非导磁材料的最佳排布顺序对密封壳的数字化模型进行分组; S3:导磁非导磁交替密封壳成型轨迹规划:根据步骤S2得到分组的数字化模型,得出导磁材料和非导磁材料的成型轨迹和减材轨迹; S4:导磁非导磁交替密封壳成型前准备; S5:导磁非导磁交替密封壳增减材成型; S6:导磁非导磁交替密封壳后处理; 在所述步骤S1中,包括如下具体步骤:优化密封壳结构,求得密封壳的导磁非导磁材料的最佳排布顺序以及对应的材料层厚度,以及密封壳的增材工艺参数、减材工艺参数、保障界面稀释率、界面性能的增材工艺参数和异质材料均一化的热处理工艺参数,所述增材工艺参数和减材工艺参数包括复合增减材系统的激光速率、扫描速度、送粉速率、切削速度和进给量; 在所述步骤S1中,导磁材料非导磁材料的最佳排布顺序的确定方法为:根据所需密封壳长度将密封壳分成长度相等的若干份,然后确定每份密封壳内导磁和非导磁材料的材料层的排布顺序以及厚度,再使用有限元分析软件求解对应提升力的大小,记录提升力数值,重复以上步骤,直到计算出所有设计方案对应提升力,提升力最大时密封壳的结构即为导磁非导磁材料的最佳排布顺序及对应的材料层厚度。
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