武汉纺织大学吴奇获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉纺织大学申请的专利一种紫外非线性光学晶体材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119553371B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411645526.5，技术领域涉及：C30B29/54；该发明授权一种紫外非线性光学晶体材料及其制备方法和应用是由吴奇;杨灿;徐卫林设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种紫外非线性光学晶体材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于非线性光学材料领域，涉及一种紫外非线性光学晶体材料及其制备方法和应用。该紫外非线性光学晶体材料的晶体化学式为ZnC5H4NO2，C5H4NO代表4‑羟基吡啶，4‑羟基吡啶与Zn2+通过配位键结合而形成[ZnN2O2]四面体；晶体属于正交晶系，空间群为Fdd2。该紫外非线性光学晶体材料的带隙为4.40eV，二次谐波发生高达13.6×KDP，在532nm波长处的双折射率Δn＝0.073，在1064nm波长处的双折射率Δn＝0.074，且呈现出光致发光特性，在波长为330‑420nm的激发光下具有寿命长达558ms的磷光和肉眼可见、长达5s的蓝色余辉。此外，该紫外非线性光学晶体材料具有很强的耐水性、热稳定性和环境稳定性，在非线性光学材料领域具有良好的应用前景。
本发明授权一种紫外非线性光学晶体材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种紫外非线性光学晶体材料，其特征在于，晶体化学式为ZnC5H4NO2，C5H4NO代表4-羟基吡啶，4-羟基吡啶与Zn2+通过配位键结合而形成[ZnN]四面体；晶体属于正交晶系，空间群为Fdd2。
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