先导薄膜材料(广东)有限公司谢小林获国家专利权
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龙图腾网获悉先导薄膜材料(广东)有限公司申请的专利一种氧化钴靶材及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119553232B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411713842.1，技术领域涉及：C23C14/34；该发明授权一种氧化钴靶材及其制备方法与应用是由谢小林;钱名娟;唐虎;文崇斌;余飞设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化钴靶材及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本公开提供了一种氧化钴靶材及其制备方法与应用，属于靶材技术领域。本公开氧化钴靶材的制备方法，包括以下步骤：将装有氧化钴粉末的模具依次进行抽真空、热处理和热压处理，得到氧化钴靶坯；其中，热处理的温度为950‑1050℃，时间为2‑4h；热压处理的温度为950‑1050℃，压力为30‑50MPa，时间为0.5‑2h；将所述氧化钴靶坯进行机加工，得到氧化钴靶材。本公开通过热处理和热压处理，并采用特定的处理参数，得到物相单一、相对密度高、电阻率低且性质稳定的氧化钴靶材，能够满足磁控溅射对靶材的要求。
本发明授权一种氧化钴靶材及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种氧化钴靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：将纯度大于等于99.99%、平均粒径小于等于10μm的氧化钴粉末装入模具中； S2：将步骤S1装有氧化钴粉末的模具放入真空热压炉中，抽真空；然后以5-10℃min的速率升温至950-1050℃，保温2-4h；接着以0.1-0.6MPamin的速率升压至30-50MPa，在温度为950-1050℃和压力为30-50MPa的条件下，保温保压0.5-2h，保温保压结束后，卸压并随炉冷却至室温，得到氧化钴靶坯； S3：将步骤S2所得氧化钴靶坯进行机加工，得到氧化钴靶材。
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