武汉大学马明军获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利光电突触器件的制备方法及光电突触器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486289B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411332646.X，技术领域涉及：H10F30/282；该发明授权光电突触器件的制备方法及光电突触器件是由马明军;雷诚;肖湘衡;李文庆设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电突触器件的制备方法及光电突触器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种光电突触器件的制备方法及光电突触器件，属于半导体技术领域。所述光电突触器件的制备方法包括：提供栅极以及位于所述栅极一侧的栅极氧化层；在所述栅极氧化层背离所述栅极的一侧形成沟道层；在所述沟道层背离所述栅极氧化层的一侧形成源漏极，且所述源漏极与所述沟道层连接；在高温环境下，对所述沟道层进行预设时长的路易斯酸掺杂，以在所述沟道层的能带结构中引入陷阱中心。本申请能够实现对光电突触功能的模拟，且模拟时具有极低的操作电压、较弱的光脉冲强度以及极低的功耗。
本发明授权光电突触器件的制备方法及光电突触器件在权利要求书中公布了：1.一种光电突触器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供栅极以及位于所述栅极一侧的栅极氧化层； 在所述栅极氧化层背离所述栅极的一侧形成沟道层；所述沟道层包括二维材料层，所述二维材料层包括WSe2、MoS2、WS2或MoSe2； 在所述沟道层背离所述栅极氧化层的一侧形成源漏极，且所述源漏极与所述沟道层连接； 在高温环境下，对所述沟道层进行预设时长的路易斯酸掺杂，以在所述沟道层的能带结构中引入陷阱中心；所述路易斯酸包括SnCl4； 所述在高温环境下，对所述沟道层进行预设时长的路易斯酸掺杂，包括： 将液态路易斯酸溶解至醇类极性质子溶剂中； 将溶解有路易斯酸的溶剂转移至聚四氟乙烯反应釜中并加热； 在高温环境下，将所述沟道层浸没于所述反应釜中，以对所述沟道层进行预设时长的路易斯酸掺杂。
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