思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司马小波获国家专利权
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龙图腾网获悉思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司申请的专利半导体器件及半导体器件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486159B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411545445.8，技术领域涉及：H10D10/40；该发明授权半导体器件及半导体器件的制作方法是由马小波;崔永久;汪海旸;陈莉芬;李明设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及半导体器件的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于BJT结构的半导体器件及半导体器件的制作方法，本发明的半导体器件，其能够降低器件中寄生晶体管的β增益，提高集电极C和发射极E之间的击穿电压的同时，尽量保持发射极E和基极B之间的击穿电压，以及集电极C和基极B之间的击穿电压不变，提高电路性能。
本发明授权半导体器件及半导体器件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体主体，包括具有第一掺杂类型衬底11、设置在所述衬底之上的具有第二掺杂类型的埋层12以及设置在所述埋层之上的具有第一掺杂类型的外延层13； 第一沟槽20，从所述外延层的顶表面延伸到所述埋层中，所述第一沟槽内设置有具有第二掺杂类型的第一导电材料21，所述第一导电材料将所述埋层电连接至所述外延层的顶表面； 第一漂移区30，设置于所述外延层中且位于所述第一沟槽所围成的范围内，所述第一漂移区具有第二掺杂类型； 第一阱区41，设置于所述外延层中且位于所述第一沟槽和所述第一漂移区之间，所述第一阱区具有第一掺杂类型或第二掺杂类型或非掺杂类型； 第二阱区42，设置于所述外延层中且位于所述第一阱区的下方，所述第二阱区具有第二掺杂类型； 第三阱区50，设置于所述外延层中，所述第三阱区包括插置于所述第一阱区与所述第一沟槽之间的第一第三子阱区51，和插置于所述第一阱区与所述第一漂移区之间的第二第三子阱区52，所述第三阱区具有第一掺杂类型； 其中， 当所述第一阱区具有第二掺杂类型时，所述第二阱区的掺杂浓度大于所述第一阱区的掺杂浓度； 当所述第一阱区具有第一掺杂类型时，所述第三阱区的掺杂浓度大于所述第一阱区的掺杂浓度。
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