西安电子科技大学王颖哲获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利极深能级陷阱的探测方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119480671B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411610806.2，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权极深能级陷阱的探测方法及装置是由王颖哲;郑雪峰;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本极深能级陷阱的探测方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种极深能级陷阱的探测方法及装置，该方法包括：基于深能级瞬态谱法，检测原始待测半导体最浅能级陷阱的浓度；按照第n个电子束填充剂量，对待测半导体进行第n次电子注入以在第n‑1次注入后的待测半导体的每个缺陷中填充至少一个电子，得到第n次注入后的待测半导体；基于深能级瞬态谱法，检测第n次注入后的待测半导体最浅能级陷阱的浓度，得到原始待测半导体第n+1浅的能级陷阱的浓度；其中，在对较深的能级陷阱进行电子注入后能够将较深的能级陷阱转换为较浅的能级陷阱。本发明能够实现对较深能级陷阱浓度的检测且适用范围较广。
本发明授权极深能级陷阱的探测方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种极深能级陷阱的探测方法，其特征在于，包括： 基于深能级瞬态谱法，检测原始待测半导体最浅能级陷阱的浓度； 按照第n个电子束填充剂量，对所述待测半导体进行第n次电子注入以在第n-1次注入后的待测半导体的每个缺陷中填充至少一个电子，得到第n次注入后的待测半导体，其中，第0次注入后的待测半导体为所述原始待测半导体，n为小于或者等于N-1的正整数，N为所述原始待测半导体中同一种缺陷的能级的最大个数； 基于深能级瞬态谱法，检测所述第n次注入后的待测半导体最浅能级陷阱的浓度，得到所述原始待测半导体第n+1浅的能级陷阱的浓度； 其中，在对较深的能级陷阱进行电子注入后能够将较深的能级陷阱转换为较浅的能级陷阱。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710071 陕西省西安市太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励