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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种低热阻低应力多芯片埋入式板级封装方法及其封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119480644B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411406395.5，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权一种低热阻低应力多芯片埋入式板级封装方法及其封装结构是由樊嘉杰;李雯钰设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低热阻低应力多芯片埋入式板级封装方法及其封装结构在说明书摘要公布了：本发明属于芯片封装技术领域，具体为一种低热阻低应力多芯片埋入式板级封装方法及其封装结构。本发明的多芯片埋入式板级封装结构的芯片布局如下；芯片以及铜块对称分布，铜块分别排布在结构的上下边界处，z型沟槽居中摆放；芯片共有四颗，两颗一组，同组芯片纵向垂直摆放；铜块共有八颗，四颗一组，同组铜块水平紧密摆放；沟槽、芯片、铜块总体成中心对称布局；芯片构成为芯片区域，铜块实现电路连接；芯片和铜块分别设有均匀排布多个盲孔，用于实现纵向电气连接的结构，载体基板材料是铜；沟槽用于实现电气绝缘划分电极区域。本发明可减小功率器件的封装尺寸，在低杂感低应力的基础上实现更均匀的热力分布，提升器件的热‑力特性。

本发明授权一种低热阻低应力多芯片埋入式板级封装方法及其封装结构在权利要求书中公布了：1.一种低热阻低应力多芯片埋入式板级封装方法，其特征在于，采用面朝下封装工艺，具体步骤为： 步骤1，半刻蚀载体基板4；即在载体基板上进行半刻蚀，通过半刻蚀，对载体基板上的区域进行电气区域划分，并形成芯片1和铜块2的定位沟槽5； 步骤2，将芯片1和铜块2安装到载体基板4上； 步骤3，在载板上依次压合塑封材料和铜片；塑封材料用于提供机械支撑，为随后对芯片进行压合封装奠定基础；在塑封材料上压合铜片以形成再分布层RDL； 步骤4，制作盲孔3；即在芯片1和铜块2表面通过计算机数控雕刻和激光加工相结合的方式制作盲孔，盲孔用于实现垂直互连； 步骤5，形成电气连接结构；具体使用化学沉积法在盲孔壁上沉积铜层；然后通过电镀工艺将盲孔完全填满铜材料；确保芯片1和铜块2之间的无缝电气连接； 步骤6，刻蚀电路图案；将顶部再分布层RDL划分为若干区域，具体通过涂抹光刻胶、光刻、刻蚀技术，将铜层蚀刻成预定义的电路图案，以符合半桥拓扑电路的要求； 步骤7，聚丙烯PP材料和散热片压合；蚀刻工艺完成后，在结构底部贴上一层聚丙烯PP材料和散热片，以加强热管理和结构稳定性； 步骤8，阻焊层压合；在RDL上表面贴上一层阻焊层； 步骤9，阻焊层显影；即在阻焊层顶部涂上光刻胶，实现对表面的图形化，方便与外部电路连接； 步骤10，图形化处理；对样品表面进行镀银处理，以便形成焊盘； 其中，芯片布局如下；芯片1以及铜块2都是对称分布，铜块2分别排布在结构的上下边界处，沟槽5呈“z”型居中摆放；芯片1一共四颗，两颗一组，同组芯片纵向垂直摆放，芯片之间的间距大于等于0.6mm；铜块2一共八颗，四颗一组，同组铜块水平紧密摆放，间距大于等于0.6mm；沟槽5、四颗芯片1、八颗铜块2总体成中心对称布局；其中，芯片1构成为芯片区域，铜块2实现电路连接；芯片1和铜块2分别设有均匀排布多个盲孔3，用于实现纵向电气连接的结构，载体基板4的材料是铜；沟槽5用实现电气绝缘划分电极区域，填充材料6用于整个器件封装。

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